Scanning capacitance microscopy characterization of AIIIBV epitaxial layers

• Autorzy: Szyszka A. , Obłąk M. , Szymański T. , Wośko M. , Dawidowski W. , Paszkiewicz R.

Identyfikatory

DOI

10.1515/msp-2016-0104

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The applicability of scanning capacitance microscopy (SCM) technique for chosen electrical properties characterization of AIIIBV structures fabricated by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy (MOVPE) was examined. The calibration curves for quantitative characterization of doping levels in GaAs layers were created. The AlGaN/GaN/Si heterostructures for high electron mobility transistor fabrication and InGaAs tunnel junction for tandem solar cell characterization were presented. The crucial factors of measurement conditions which could influence the obtained results were also discussed.

Słowa kluczowe

EN

scanning; capacitance; microscopy; SCM; atomic force microscopy (AFM); GaAs; InGaAs; AlGaN/GaN

• Wydawca: De Gruyter
• Czasopismo: Materials Science Poland
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 34, No. 4
• Strony: 845--850
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Szyszka A.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

autor

Obłąk M.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

autor

Szymański T.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

autor

Wośko M.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

autor

Dawidowski W.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

autor

Paszkiewicz R.

• Wroclaw University of Technology, Faculty of Microsystem Electronics and Photonics, Janiszewskiego Street 11/17, 50-372 Wroclaw, Poland

Bibliografia

• [1] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
• [2] MOCZAŁA M., SOSA N., TOPOL A., GOTSZALK T., Ultramicroscopy, 141 (2014), 1.
• [3] PARK K. W., NAIR H. P., CROOK A. M., BANK S. R., YU E. T., Appl. Phys. Lett., 99 (2011), 133114.
• [4] BASSANI F., PERIWAL P., SALEM B., CHEVALIER N., MARIOLLE D., AUDOIT G., GENTILE P., BARON T., Phys. Status Solidi-R, 8 (2014), 312.
• [5] GOGHEROA D., GIANNAZZOB F., RAINERIA V., Mater. Sci. Eng. B-Adv., 102 (2003), 152.
• [6] BHUSHAN B. (Ed.), Scanning Probe Microscopy in Nanoscience and Nanotechnology 2, Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2001.
• [7] ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., TŁACZAŁA M., SĘK G., POLOCZEK P.,MISIEWICZ J., KOVÁC J., SRNANEK R., CHRISTOFI A., Mater. Sci.-Poland, 26 (2008), 71.
• [8] DAWIDOWSKI W., ŚCIANA B., ZBOROWSKA-LINDER I., MIKOLÁŠEK M., LATKOWSKA M., RADZIEWICZ D., PUCICKI D., BIELAK K., BADURA M., KOVÁC J., TŁACZAŁA M., Int. J. Electron. Telecommun., 60 (2014), 151.
• [9] SZYMAŃSKI T., WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., PASZKIEWICZ R., DRZIK M., J. Vac. Sci. Technol. A, 33 (2015), 041506.
• [10] SMITH K.V., DANG X.Z., YUA E.T., REDWING J.M., J. Vac. Sci. Technol. B, 18 (2000), 2304.
• [11] YIN H., LII T., WANG W., HU W., LIN L., LU W., Appl. Phys. Lett., 95 (2009), 093506.
• [12] SZYSZKA A., ŚCIANA B., RADZIEWICZ D., MACHERZYŃSKI W., PASZKIEWICZ B., TŁACZAŁA M., Opt. Appl., 41 (2011), 281.
• [13] KROST A., DADGAR A., STRASSBURGER G., CLOS R., Phys. Status Solidi-R, 200 (2003), 26.
• [14] WOŚKO M., PASZKIEWICZ B., SZYMAŃSKI T., PASZKIEWICZ R., J. Cryst. Growth, 414 (2015), 248.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).