Termiczne formowanie tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu 4H-SiC

• Autorzy: Kwietniewski Norbert , Szarafiński Jakub , Sochacki Mariusz , Szmidt Jan , Kaszub Wawrzyniec , Ciuk Tymoteusz

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.09.37

Warianty tytułu

EN

Thermal formation of titanium ohmic contacts for 4H-SiC silicon carbide

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono wyniki eksperymentu wygrzewania tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu (4H-SiC) w temperaturach od 850 oC do 1100 oC. Porównano wyniki pomiarów elektrycznych kontaktów do płaszczyzny krzemowej (0001) i węglowej (000-1) węglika krzemu. Sprawdzono dwa warianty przygotowania powierzchni: mycie RCA oraz mycie i usuwanie warstwy materiału metodą termicznego utleniania i trawienia. Wykazano korzystny wpływ obecności wodoru podczas wygrzewania na liniowość charakterystyk oraz rezystancję kontaktów.

EN

In this work, the results of the experiment regarding the contact thermal formation of Ti/4H-SiC were discussed. The results of electrical contact measurements to the silicon (0001) and carbon (000-1) face of silicon carbide were compared. The influence of different preparation of the semiconductor surface, standard RCA cleaning and cleaning followed by sacrificial thermal oxidation were investigated. The beneficial impact of the presence of hydrogen during the annealing on the linearity of the characteristics and the resistance of contacts was demonstrated.

Słowa kluczowe

PL

Ti/SiC; kontakty omowe; termiczne formowanie kontaktów

EN

Ti/SiC; ohmic contacts; contacts thermal formation

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 9
• Strony: 172--174
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., rys.

Twórcy

autor

Kwietniewski Norbert

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Szarafiński Jakub

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Sochacki Mariusz

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Szmidt Jan

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Kaszub Wawrzyniec

• Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

autor

Ciuk Tymoteusz

• Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Baliga B. J., Silicon Carbide Power Devices: A 35 Year Journey from Conception to Commercialization, 76th Device Research Conference (DRC), 5 (2018), nr2, 1–2
• [2] Roccaforte F., La Via F., Raineri V., Ohmic Contacts To SiC, SiC Materials And Devices, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. (2006), 77–116
• [3] Wang Z., Liu W., Wang C., Recent Progress in Ohmic Contacts to Silicon Carbide for High-Temperature Applications, J. Electron. Mater., 45 (2016), nr1, 267-284

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).