Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Thermal formation of titanium ohmic contacts for 4H-SiC silicon carbide
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule omówiono wyniki eksperymentu wygrzewania tytanowych kontaktów omowych do węglika krzemu (4H-SiC) w temperaturach od 850 oC do 1100 oC. Porównano wyniki pomiarów elektrycznych kontaktów do płaszczyzny krzemowej (0001) i węglowej (000-1) węglika krzemu. Sprawdzono dwa warianty przygotowania powierzchni: mycie RCA oraz mycie i usuwanie warstwy materiału metodą termicznego utleniania i trawienia. Wykazano korzystny wpływ obecności wodoru podczas wygrzewania na liniowość charakterystyk oraz rezystancję kontaktów.
In this work, the results of the experiment regarding the contact thermal formation of Ti/4H-SiC were discussed. The results of electrical contact measurements to the silicon (0001) and carbon (000-1) face of silicon carbide were compared. The influence of different preparation of the semiconductor surface, standard RCA cleaning and cleaning followed by sacrificial thermal oxidation were investigated. The beneficial impact of the presence of hydrogen during the annealing on the linearity of the characteristics and the resistance of contacts was demonstrated.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
172--174
Opis fizyczny
Bibliogr. 3 poz., rys.
Twórcy
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
- Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa
autor
- Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
autor
- Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, ul. Wólczyńska 133, 01-919 Warszawa
Bibliografia
- [1] Baliga B. J., Silicon Carbide Power Devices: A 35 Year Journey from Conception to Commercialization, 76th Device Research Conference (DRC), 5 (2018), nr2, 1–2
- [2] Roccaforte F., La Via F., Raineri V., Ohmic Contacts To SiC, SiC Materials And Devices, World Scientific Publishing Co. Pte. Ltd. (2006), 77–116
- [3] Wang Z., Liu W., Wang C., Recent Progress in Ohmic Contacts to Silicon Carbide for High-Temperature Applications, J. Electron. Mater., 45 (2016), nr1, 267-284
Uwagi
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-efd81d03-f11c-4823-ac36-7c3458e019b4