Koncepcja selekcji detektorów UV do zastosowań specjalnych

• Autorzy: Ćwirko J. , Ćwirko R.

Warianty tytułu

EN

The concept of UV detectors selection for special applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Detektory UV są stosowane w pracach badawczych, przemyśle i aplikacjach wojskowych oraz w systemach bezpieczeństwa. Przedstawiono koncepcję selekcji detektorów UV do zastosowań specjalnych. Proponowane procedury charakteryzacji detektorów UV umożliwiają uzyskanie dodatkowych, pozakatalogowych informacji z punktu widzenia wymagań eksploatacji sprzętu w warunkach ekstremalnych. Rozwiązanie takie jest niezbędne przy praktycznej realizacji koncepcji stosowania w sprzęcie specjalnym komercyjnie dostępnych podzespołów elektronicznych i optoelektronicznych. W artykule przedstawiono przykładowe badania nad zaleznością charakterystyk detektorów UV, wykonanych z GaN i TiO2, od długotrwałego wygrzewania w podwyższonej temperaturze.

EN

UV detectors are applied in research works, the industry and applications of military and in security systems. A conception of selection of UV detectors was presented for special applications. Proposed procedures enable the make-up of UV detectors to get additional, outside catalogue of information from the point of seeing requirements of the use of the equipment in extreme conditions. Such a solution is essential at the practical realization of the concept of applying available electronic components commercially in the special equipment and optoelectronic. In the article a model research on the relation of spectrum characterizations of UV detectors, made from GaN and TiO2, from longterm warming up in the high temperature was described.

Słowa kluczowe

PL

detektory UV; eksploatacja sprzętu; warunki ekstremalne; GaN; TiO2; podwyższona temperatura

EN

UV detectors; use of equipment; extreme conditions; GaN; TiO2; higher temperature

• Wydawca: Instytut Naukowo-Wydawniczy "TTS" Sp. z o.o
• Czasopismo: TTS Technika Transportu Szynowego
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 19, nr 9
• Strony: 1169--1175, CD
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz.

Twórcy

autor

Ćwirko J.

• Wojskowa Akademia Techniczna ISE WEL, Warszawa

autor

Ćwirko R.

• Wojskowa Akademia Techniczna ISE WEL, Warszawa

Bibliografia

• 1. Koren B.: Photodiodes: Ubiquitous components in today’s arsenal of smart weapons. Advanced Photonics, Inc. USA, 2003.
• 2. Omnes F, Manroi E.: Ultraviolet Photodetectors. Optoelectronics Sensor. (2010), pp. 181-222.
• 3. Hari Sing Nalwa – editor: Photodetectors and Fiber Optics.Academic Press, 2001, ISBN 0-12-513908-X.
• 4. Dahay R. i in.: AIN MSM and Schottky Photodetectors. Phys. Stat. Solid. © 5, no. 6, 2145-2153 (2008).
• 5. Pikhtin A.N., Tarasov S.A., Orlova T.A., Kloth B.: Selective and broadband GaP UV photodetectors. IWRFRI’2000, St. Petersburg, May 29-31,2000; www.ioffe.ru/RT/IWRFRI2000/b2.html.
• 6. Materiały firmy Hamamatsu Photonics: GaAsP photodiode – diffusion type. www.hamamatsu.com.
• 7. Ćwirko R. (kierownik projektu), Bielecki Z., Ćwirko J.: Optymalizacja stosunku sygnału do szumu w odbiornikach promieniowania optycznego z detektorami UV. Sprawozdanie końcowe projektu badawczego KBN nr 0T00A00227. Wojskowa Akademia Techniczna, Warszawa 2006.
• 8. Chang W-R.: The hetero-Epitaxial SiCN/Si MSM Photodetector fot High-Temperaturre Deep-UV Detecting Applications. IEEE Electron Device Letters, vol. 24, No. 9 , September 2003, pp. 565-567.