Wzrost politypu 3C-SiC z roztworu metodą TSSG

• Autorzy: Raczkiewicz M. , Tymicki E. , Łukasiewicz T.

Warianty tytułu

EN

Solution growth of 3C-SiC by TSSG method

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

W tej pracy przedstawiono metodę wzrostu węglika krzemu politypu 3C. Jako zarodki posłużyły monokrystaliczne płytki węglika krzemu o politypach heksagonalnych 4H-SiC oraz 6H-SiC. Zbadano wzrost na płaszczyznach o orientacji (0001) oraz (000-1). Określony został zakres temperatur, pozwalający na otrzymanie struktur o wysokiej jednorodności politypowej, która została potwierdzona analizą fazową otrzymanego materiału oraz pomiarami widma Ramana.

EN

In this paper, solution growth of 3C-SiC was demonstrated. Monocrystalline 4H-SiC and 6H-SiC wafers were used as seeds. Growth was observed on (0001) and (000-1) planes. The temperature range enabling the fabrication of 3C-SiC structures of high polytypic homogeneity was determined and 3C-SiC growth was confirmed by XRD and Raman spectroscopy.

Słowa kluczowe

PL

polityp 3C; SiC; wzrost z roztworu

EN

polytype 3C; SiC; solution growth

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2015
• Tom: T. 43, nr 2
• Strony: 4--11
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Raczkiewicz M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Tymicki E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Łukasiewicz T.

Bibliografia

• [1] The status of silicon carbide and related materials – Proceedings of the 6th International Conference on Silicon Carbide and Related Materials (ICSCRM 1995), Kyoto, Japan, September 1995
• [2] Nelson W. E., Halden F. A, Rosengreen A.: Growth and properties of β-SiC single crystals, J. Appl. Phys., 1966, 37, 333
• [3] Pensl G., Bassler M., Ciobanu F., Afanas V., Yano H., Kimoto T., Matsunami H.: Traps at the SiC/SiO2 Interface, Mater. Res. Soc. Symp., 2001, H3.2, 640
• [4] Locke C., Kravchenko G., Waters P., Reddy J. D., Du K., Volinsky A. A., Frewin C. L., Saddow S. E.: Growth of single crystal 3C-SiC (111) on a poly-Si seed layer, Mater. Sci. Forum, 2009, 633, 615 – 617
• [5] Reyes M., Waits M., Harvey S., Shishkin Y., Geil B., Wolan J. T., Saddow S. E.: Increased growth rates of 3C-SiC on Si (100) substrates via HCl growth additive, Mater. Sci. Forum, 2006, 527-529, 310
• [6] Bakowski M. i in.: Development of 3C-SiC MOSFETs, J. Telec Information Tech., 2007, 2, 49 – 56
• [7] Yazdi G. R., Vasiliauskas R., Iakimov T., Zakharov A., Syväjärvi M., Yakimova R.: Growth of large area monolayer graphene on 3C-SiC and comparison with other SiC polytypes, Carbon, 2013, 57, 477 – 484
• [8] Portail M., Michon A., Vézian S., Lefebvre D., Chenot S., Roudon E., Zielinski M., Chassagne T., Tiberj A., Camassel J., Cordier Y.: Growth mode and electric properties of graphene and graphitic phase grown by argon–propane assisted CVD on 3C–SiC/ Si and 6H–SiC, J. Cryst. Growth, 2012, 349, 27 – 35
• [9] Suemitsu M., Jiao S., Fukidome H., Tateno Y., Makabe I. and Nakabayashi T.: Epitaxial grapheme formation on 3C-SiC/Si thin films, J. Phys. D: Appl. Phys., 2014, 47, 094016, 11
• [10] Hsia B., Ferralis N., Senesky D. G., Pisano A. P., Carraro C., Maboudian R.: Epitaxial graphene growth on 3C–SiC(111)/AlN(0001)/Si(100). Electrochem. Solid-State Lett., 2011, 14, 2, 13
• [11] Knippenberg W. F.: Growth phenomena in silicon carbide, Philips Res. Rept., 1963, 18, 161
• [12] Tanaka A., Shiozaki N., Katsuno H.: Synthesis and growth of 3C SiC crystals from solution at 950˚C, J. Cryst. Growth, 2002, 1202, 237 – 239
• [13] Tanaka T., Yashiro N., Kusunoki K., Kamei K., Yauchi A.: Solution growth of 3C-SiC single crystals by cold crucible technique, Mater. Sci. Forum, 2008, 191, 600 – 603
• [14] Syvajarvi M., Yakimova R. and, Janez E.: Growth of SiC from the liquid phase: Wetting and dissolution of SiC, Diamond and Related Materials, 1997, 6, 1266
• [15] T. Tsvetkov: Phase diagram in Si-C system [1988], http://www.ioffe.rssi.ru/SVA/NSM/Semicond/SiC/figs/tairov884_SiC.gif
• [16] Yakimova R., Vasiliauskas R., Eriksson J., Syväjärvi M.: Progress in 3C-SiC growth and novel applications, Mater. Sci. Forum, 2012, 711, 3