Wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych

• Autorzy: Suproniuk M. , Wierzbowski M. , Pawłowski M. , Majda-Zdancewicz E. , Paziewski P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.10.11

Warianty tytułu

EN

Selected issues of photoconductivity measurements in the aspect of studying defect centres in semiconductor materials

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano wybrane zagadnienia pomiaru fotoprzewodnictwa w aspekcie badania struktury defektowej materiałów półprzewodnikowych. Zaprezentowano dedykowany do tego celu system pomiarowy. Dokonano analizy niektórych przypadków związanych z niedokładnością pomiaru w prezentowanym systemie. Zaprezentowano wpływ pomiaru temperatury na niejednoznaczność otrzymanych na podstawie analizy fotoprądu parametrów centrów defektowych. Omówiono zagadnienia związane z wpływem sposobu wykonania kontaktów omowych na wyniki pomiaru. Opisano zjawiska związane z pomiarem niskich sygnałów oraz omówiono sposoby eliminacji zakłóceń w tych układach.

EN

The paper presents a measurement system for investigation of defect centres in semiconductor materials. Analysed were some aspects of measurement inaccuracies in the system. Shown was an influence of a temperature measurement on the ambiguity of parameters of defect centres obtained based on an analysis of photocurrent waveforms. Discussed were issues related to an influence of the way the ohmic contacts had been prepared on the measured signals. Described were the phenomena associated with the measurements of small signals and discussed were the ways of eliminating interferences from the system.

Słowa kluczowe

PL

system pomiarowy; materiały półprzewodnikowe; centra defektowe

EN

measurement system; semiconductor materials; defect centres

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 10
• Strony: 49--52
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys.

Twórcy

autor

Suproniuk M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Wierzbowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Pawłowski M.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Majda-Zdancewicz E.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

autor

Paziewski P.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki, Instytut Systemów Elektronicznych

Bibliografia

• [1] Hartmann F.: Silicon tracking detectors in high-energy physics, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A, 666 (2012), 25-46.
• [2] Seidel S.: Silicon detectors for super LHC, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research A, 628 (2011) 272-275.
• [3] C. Hettler, W. W. Sullivan III, J. Dickens, Characterization of Annealed HPSI 4H-SiC for Photoconductive Semiconductor Switches, Materials Science Forum, Vols. 717-720, (2012), pp. 301-304, 2012.
• [4] C. Hurtes, M. Boulou, A. Mitonneau and D. Bois, Appl. Phys. Lett. 32, 821 (1978).
• [5] O. Yoshie O., Kamihara M., Photo-induced current transient spectroscopy in high-resistivity bulk material. I. Computer controlled multi-channel PICTS system with high-resolution, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 22, No. 4, April, 1983, str. 621-628.
• [6] Look D.C. The electrical and photoelectronic properties of semi-insulating GaAs. In: Willardson R.K., Beer A.C., editors. Semiconductors and semimetals, vol. 19. New York: Academic Press, 1983, p. 76-123.
• [7] Pawłowski M., Kamiński P., Kozłowski R., Jankowski S. , Wierzbowski M.: Intelligent measuring system for characterization of defect centers in semi-insulating materials by photoinduced transient spectroscopy, Metrology and Measurement Systems, Vol. XII (2005), No 2, 207-228.
• [8] Kozłowski R., Kamiński P., Surma B., Żelazko J., Zobrazowanie radiacyjnej struktury defektowej krzemowych detektorów cząstek dla akceleratorów zderzeniowych S-LHC, Sprawozdanie merytoryczne z wykonania projektu międzynarodowego niewspółfinansowanego Nr 655/N-CERN/2010/0, ITME, Warszawa 2013.
• [9] Krupka J., Karcz W., Avdeyev S. P., Kamiński P., Kozłowski R.: Electrical properties of deuteron irradiated high resistivity silicon, Nuclear Inst. and Methods in Physics Research B (2014)
• [10] Reynolds S., Main C., Webb D.P., Grabtchak S., Bandwidth consideration in modulated and transient photoconductivity measurements to determine localized state distributions. J. Appl. Phys., vol. 88, nr 1, 1 July 2000, 278-282.
• [11] Kokaram A., N. Persad, J. Lasenby, W. Fitzgerald, A. Mc Kinnon, M. Welland, Restoration of image from scanning-tunneling microscope, 1995, Applied Optics, vol. 34, No. 23, August 1995, p. 5121-5132.
• [12] Pawłowski M., Analiza wpływu ograniczonego pasma przenoszenia przetwornika prąd-napięcie na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych w półprzewodnikach wysokorezystywnych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej PITS, Materiały Elektroniczne, ITME, 32 (1/4), 2004, str. 23-35.
• [13] Istratov A. A.: The resolution limit of traditional correlation functions for deep level transient spectroscopy, Rev. Sci. Instrum., vol. 68, No.10, October, 1997, str. 3861-3865.

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).