A quasi-2D small-signal MOSFET model : main results

• Autorzy: Kordalski W.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-131

Warianty tytułu

PL

Quasi-dwuwymiarowy model małosygnałowy tranzystora MOS : ważniejsze wyniki

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (13 ; 05-09.06.2014 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Main results stemming from a new quasi‑2D non-quasi-static small-signal four-terminal model of the MOSFET are presented in this work. The model is experimentally verified up to 30 GHz.

PL

W artykule zaprezentowano ważniejsze wyniki nowoopracowanego quasi-dwuwymiarowego, niequasi-stycznego modelu małosygnałowego czterokońcówkowego tranzystora MOS. Wyniki weryfikacji eksperymentalnej w zakresie częstotliwości do 30 GHz potwierdzają porawność zaprezentowanego modelu.

Słowa kluczowe

EN

CMOSFETs; semiconductor device modeling; microwave MOSFETs

PL

CMOSFET; modelowanie przyrządów półprzewodnikowych; mikrofalowe tranzystory CMOS

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 9
• Strony: 48--50
• Opis fizyczny: Bibliogr. 6 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kordalski W.

• Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyk

Bibliografia

• [1] W. Kordalski, “A quasi-2D MOSFET model – 2D-to-quasi-2D transformation,”prepared to submit for review.
• [2] „A quasi-2D non-quasi-static time-domain small-signal MOSFET model,” prepared to submit for review.
• [3] „A quasi-2D dc MOSFET model,” prepared to submit for review.
• [4] Y. P. Tsividis, Operation and modeling of the MOS transistor, 2nd ed., Oxford University Press, New York, 1999.
• [5] W. Kordalski, “A quasi-2D non-quasistatic freqeunce-domain small-signal MOSFET model,” prepared to submit for review.
• [6] W. Kordalski, D. Trofimowicz and T. P. Stefański, “Validation of a quasi-2D non-quasi-static small-signal MOSFET model up to 30 GHz,” prepared to submit for review.

Uwagi

EN

The author would like to thank Professor W. Zieniutycz, Dr. T. P. Stefański, and Dr. Cz. Stefański, all of Gdańsk University of Technology, for help ful discussions.