Organiczne urządzenia elektroluminescencyjne : materiały, rozwiązania konstrukcyjne, właściwości

• Autorzy: Wileńska E. , Głowacki I. , Grykien R. , Łuszczyńska B.

Warianty tytułu

EN

Organic electroluminescent devices : materials, architecture solutions, properties

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy omówiono dwa rodzaje polimerowych urządzeń elektroluminescencyjnych: diody oraz tranzystory polowe. Praca skupiała się nad uzyskaniem urządzeń emitujących światło z zakresu zbliżonego do maksymalnej czułoci oka ludzkiego. Warstwy emisyjne zostały wytworzone na bazie dwóch typów kopolimerów skoniugowanych: p-fenylenowinylenu („Super Yellow”), fluorenowobenzotiadiazolowego (F8BT) oraz mieszaniny poli(N/-winylokar bazolu) z pochodną oksadiazolu (PVK/PBD) domieszkowanej „zielonym” emiterem (Ir(ppy)3). Zahermetyzowane diody wykonane z „Super Yellow” charakteryzowały się stabilnymi parametrami użytkowymi: luminancją ok. 2500 cd/m2, wydajnością - 13 cd/A, przy napięciu zasilania w zakresie 3,5…4,5 V. Tranzystory polowe wytworzone z F8BT wykazywały zdolność sterowania intensywnością emitowanego światła poprzez zmiany napięć UDS i UGS, jednak w ich przypadku konieczne było stosowanie napięć zasilających przekraczających 100 V.

EN

This paper is focused on two kinds of polymeric electroluminescent devices: diodes (OLEDs) as well as field-effect transistors (OLETs). Experiment was concentrated to obtain devices emitting light in the spectral range corresponding to the maximal sensitivity of the human eye. Emitting layers were prepared on two type of conjugated copolymers: p-phenylene vinylene (“Super Yellow”), fluorenebenzothiadiazole (F8BT) and the mixture of PVK/PBD doped with “green” emitter (Ir(ppy)3). Encaplu sed OLEDs manufactured with “Super Yellow” characterized with constant operating parameters: luminance ca. 2500 cd/m2, current efficiency ~ 13 cd/Aat voltages: 3,5...4,5 V. Field-effect F8BT transistors have exhibited the ability to control of the the emitted light intensity by means of the UDS and UGS changes. However, OLETs have required applying of voltage higher than 100 V.

Słowa kluczowe

PL

organiczne diody elektroluminescencyjne; organiczne tranzystory z efektem polowym emitujące światło; OLED; OLET; Super Yellow; F8BT

EN

organic electroluminescent diodes; light-emitting field-effect transistors; OLED; OLET; Super Yellow; F8BT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 89--91
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., wykr.

Twórcy

autor

Wileńska E.

• Politechnika Łódzka, Katedra Fizyki Molekularnej

autor

Głowacki I.

• Politechnika Łódzka, Katedra Fizyki Molekularnej

autor

Grykien R.

• Politechnika Łódzka, Katedra Fizyki Molekularnej

autor

Łuszczyńska B.

• Politechnika Łódzka, Katedra Fizyki Molekularnej

Bibliografia

• [1] C. W. Tang, S. A. van Slyke, „Organic Electroluminescent Diodes”, Appl. Phys. Lett., 51, pp. 913-915, 1987.
• [2] S. R. Tseng, Y. S. Chen, H. F. Meng, H. C. Lai, C. H. Yeh, S. F. Horng, H. H. Liao, C. S. Hsu, „Electron transport and electroluminescent efficiency of conjugated polymers”, Synth. Met., 159, pp. 137-141, 2009.
• [3] H. Yersin (Ed.), „Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials”, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim, 2008.
• [4] R. Grykien, I. Głowacki, „Polimerowe kompozyty elektrofosforescencyjne emitujące światło białe”, Inżynieria Materiałowa, 5, pp. 873-878, 2011.
• [5] X. H. Yang, D. Neher, „Polymer electrophosphorescence devices with high power conversion efficiencies”, Appl. Phys. Lett., 84, pp. 2476 (1-3), 2004.
• [6] X. H. Yang, F. Jaiser, D. Neher, „Physical Processes in Polymer-Based Electrophosphorescent Devices”, in „Highly Efficient OLEDs with Phosphorescent Materials”, Ed. H. Yersin, WILEY-VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, pp. 221-258, Weinheim, 2008.
• [7] I. Głowacki, „Organiczne diody elektroluminescencyjne: postęp, problemy i perspektywy”, rozdział w monografii „Drukowana Elektronika w Polsce”, Ed. M. Jakubowska, J. Sitek, Instytut Tele- i Radiotechniczny, pp. 145-155, Warszawa, 2010.
• [8] E. B. Namdas, P. Ledochowitsch, J. D. Yuen, D. Moses, A. J. Heeger, „High performance light emitting transistors”, Appl. Phys. Lett., 92, pp. 183304 (1-3), 2008.
• [9] J. Zaumseil, Ch. R. McNeill, M. Bird, D. L. Smith, P. P. Ruden, M. Roberts, M. J. McKiernan, R. H. Friend, H. Sirringhaus, „Quantum efficiency of ambipolar light-emitting polymer field-effect transistors”, J. Appl. Phys., 103, pp. 064517(1-10), 2008.