Optymalizacja układu sterującego w rezonansowym wzmacniaczu w.cz. klasy E

• Autorzy: Mikołajewski M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2017.08.08

Warianty tytułu

EN

Optimization of a rectangle wave gate driver in Class E amplifier

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie omówiono procesy komutacji w tranzystorowym kluczu MOSFET w rezonansowym wzmacniaczu klasy E sterowanym w bramce przebiegiem prostokątnym. Przeprowadzone symulacje oraz rezultaty pomiarów wzmacniacza doświadczalnego o mocy wyjściowej PO = 14W i częstotliwości pracy fp = 10 MHz wskazują, że pojemności własne tranzystora, a w szczególności pojemność CGD istotnie wpływają na osiągnięcie przełączania typu ZVS i straty komutacyjne w praktycznym układzie. Otrzymane wyniki badań pozwalają na lepsze dopasowanie bramkowego układu sterującego do parametrów wzmacniacza i zastosowanego klucza tranzystorowego.

EN

In the paper switching losses in a Class E amplifier with a MOSFET transistor switch driven with a rectangle wave are disscussed. Simulation and measurement results for the Class E amplifier operating at fp= 10 MHz with output power PO= 14 W have shown that the transistor's internal capacitances and CGD in particular have major influence on the circuit operation in ZVS mode and its switching losses. Obtained results allow optimizing the gate driver by minimizing its cost while maintaining high efficiency of the amplifier.

Słowa kluczowe

PL

wzmacniacz klasy E; straty komutacyjne; układ sterujący

EN

class E amplifier; rectangle wave gate driver; switching losses in MOSFET

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2017
• Tom: R. 93, nr 8
• Strony: 31--34
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Mikołajewski M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki i Technik Multimedialnych, ul. Nowowiejska 15/19, 00-665 Warszawa

Bibliografia

• [1] Legutko P., Wysokoczęstotliwościowe drajwery tranzystorów MOSFET mocy, Przegląd Elektrotechniczny, Nr 5 (2014), 229-235
• [2] Tatsuta T., Ishitani Y., Suetsugu T., Gate power loss of Class E amplifier with rectangular wave gate drive, TENCON 2010, 1784-1787
• [3] Strona internetowa f-my GaN Systems: www.gansystems.com
• [4] Kazimierczuk M.K., Czarowski D., Resonant Power Converters, Second Edition, J. Wiley, 349-354, 2011
• [5] Modzelewski J., Efekt Millera w rezonansowych wzmacniaczach mocy wielkiej częstotliwości klasy DE i klasy E, II KKE, 325-329, Kołobrzeg, 2003
• [6] Kasprzak M., Kaczmarczyk Z., Legutko P., Wysokoczęstotliwościowe falowniki rezonansowe klasy DE i E - modelowanie, sterowanie, zastosowania, Elektryka, z. 4 (236) (2015), r. LXI, 69-80
• [7] Grzejszczak P., Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości, Przegląd Elektrotechniczny, Nr 5 (2016), 171-174

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).