On prognosis of variation of properties of epitaxial layers by choosing of temperature field during growth

• Autorzy: Pankratov E.L.

Warianty tytułu

PL

Przewidywanie zmian własności epitaksjalnych warstw poprzez dobór pola temperatury podczas wzrostu

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

In this paper, we analyze the influence of the temperature of growth of epitaxial layers during their growth. Conditions are formulated under which the homogeneity of the properties of the epitaxial layers increases. An analytical approach for the analysis of mass and heat transfer is proposed, allowing at the same time to take into account changes in the parameters of processes both in space and in time, as well as nonlinearity of these processes.

PL

W artykule opisano analizę wpływu temperatury na wzrost epitaksjalnych warstw w procesie technologicznym. Sformułowano szereg warunków dla poprawy jednorodności badanych warstw. Wprowadzono analityczne rozwiązanie dla równania transportu masy i ciepła. To rozwiązanie umożliwiło uwzględnienie zmian parametrów procesu zarówno w przestrzeni jak i w czasie. Ponadto przeprowadzone rozwiązanie pozwoliło na uwzględnienie nieliniowości badanego procesu.

Słowa kluczowe

EN

epitaxial growth; epitaxial layer; properties; homogeneity of properties

PL

wzrost epitaksjalny; warstwa epitaksjalna; właściwości

• Wydawca: Wydawnictwa AGH
• Czasopismo: Computer Methods in Materials Science
• Rocznik: 2020
• Tom: Vol. 20, No. 1
• Strony: 1--6
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., rys.

Twórcy

autor

Pankratov E.L.

• Nizhny Novgorod State University, 23 Gagarin avenue, Nizhny Novgorod, 603950, Russia
• Nizhny Novgorod State Technical University, 24 Minin Street, Nizhny Novgorod, 603950, Russia

Bibliografia

• Carslaw, H.S., Jaeger, J.C., 1964, Conduction of heat in solids,Oxford University Press, London.
• Chakraborty, A., Xing, H., Craven, M.D., Keller, S., Mates, T.,Speck, J.S., DenBaars, S.P., Mishrab, U.K., 2004, Nonpolar -plane p-type GaN and p-n-Junction diodes, Journal of Applied Physics, 96, 4494-4499.
• Gotra, Z.Yu., 1991, Technology of microelectronic devices: a Handbook, Radio and communication, Moscow.
• Gusev, V.G., Gusev, Yu.M., 1991, Electronics. Higher School,Moscow.
• Lachin, V.I., Savelov, N.S., 2001, Electronics. Phenics, Rostovon-Don.
• Li, Y., Antonuk, L.E., El-Mohri, Y., Zhao, Q., Du, H., Sawant, A., Wang, Y., 2006, Effects of X-ray irradiation on polycrystalline silicon, thin-film transistors, Journal of Applied Physics, 99, 064501-1-064501-7.
• Lundin, V.V., Sakharov, A.V., Zavarin, E.E., Sinitsin, M.A.,Nikolaev, A.E., Mikhailovsky, G.A., Brunkov, P.N., Goncharov, V.V., Ber, B.Ya., Kazantsev, D.Yu.,Tsatsul’nikov, A.F., 2009, Effect of carrier gas and doping profile on the surface morphology of movpe grown heavily doped GaN:Mg layers, Semiconductors, 43, 963-967.
• Mitsuhara, M., Ogasawara, M., Sugiura, H., 1998, Beryllium doping of InP during metalorganic molecular beam epitaxy using bismethylcyclopentadienyl- beryllium, Journal of Crystal Growth, 183, 38-42.
• Nazmul, A.M., Sugahara, S., Tanaka, M., 2003, MBE growth, structural, and transport properties of Mn -doped GaAs layers, Journal of Crystal Growth, 251, 303-310.
• Pankratov, E.L., 2004, Relaxation time of dopant concentration in inhomogenous medium with time varying diffusion coefficient, Applied Nonlinear Dynamics, 12, 35-44.
• Pankratov, E.L. Bulaeva, E.A., 2015, Variation of mismatchinduced stress on a heterostructure with changing temperature of growth, Advances in Materials Science and Engineering: An International Journal, 2, 1-10.
• Sokolov, Yu D., 1955, About the definition of dynamic forces in the mine lifting, Applied Mechanics, 1, 23-35.
• Sorokin, L.M., Veselov, N.V., Shcheglov, M.P., Kalmykov, A.E., Sitnikova, A.A., Feoktistov, N.A., Osipov, A.V.,Kukushkin, S.A., 2008, Electron microscopic study of the structure SiC/Si (111) obtained by solid-phase epitaxy, Technical Physics Letters, 34, 88-94.
• Stepanenko, I.P., 1980, Basis of microelectronics, Soviet radio,Moscow.
• Talalaev, R.A., Yakovleva, E.V., Karpova, S.Yu., Makarov, Yu.N., 2001, On low temperature kinetic effects in metalorganic vapor phase epitaxy of III-V compounds, Journal of Crystal Growth, 230, 232-238.
• Tikhonov, A.N., Samarskii, A.A., 1972, The mathematical physics equations, Science, Moscow.
• Vorob’ev, A.A., Korabl’ev, V.V., Karpov, S.Yu., 2003, Mgdoping GaN in molecular-beam epitaxy from activated nitride, Semiconductors, 37, 838-842.

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).