Technologia tranzystorów HEMT na bazie azotku galu do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy i energoelektronice

• Autorzy: Taube A. , Kamińska E. , Ekielski M. , Piotrowska A. , Wojtasiak W.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.8.14

Warianty tytułu

EN

Technology of GaN-based high electron mobility transistors for microwave and power electronics

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki prac badawczych nad technologią tranzystorów HEMT na bazie azotku galu prowadzonych w Instytucie Technologii Elektronowej. Omówione zostaną konstrukcje tranzystorów przeznaczonych do zastosowań w mikrofalowej elektronice mocy oraz do zastosowań w energoelektronice. Przedstawione zostaną wybrane elementy technologii tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu Ammono-GaN m.in. wykonywanie izolacji za pomocą implantacji jonów oraz wykonywanie kontaktów omowych w procesie rewzrostu warstw GaN. Omówione zostaną wyniki prac nad zwiększeniem napięcia przebicia tranzystorów HEMT AlGaN/GaN na podłożu krzemowym.

EN

In this work the results of development of GaN-based HEMTs at Institute of Electron Technology are presented. The device structure suitable for application in microwave and power electronics will be discussed. Key technological steps, especially planar isolation by ion implantation and formation of low resistivity ohmic contacts are discussed along with the results of DC and RF electrical characterization of AlGaN/GaN HEMTs on Ammono-GaN. The results of works devoted to increasing the breakdown voltage of AlGaN/GaN-on-Si HEMTs will also be presented.

Słowa kluczowe

PL

azotek galu; HEMT; tranzystor; elektronika mocy; mikrofale; energoelektronika

EN

gallium nitride; high electron mobility transistor; power electronics; microwaves

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 8
• Strony: 90--97
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys.

Twórcy

autor

Taube A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kamińska E.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Ekielski M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Piotrowska A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Wojtasiak W.

• Politechnika Warszawska, Instytut Radioelektroniki i Technik Multimedialnych

Bibliografia

• [1] E. Kaminska; A. Piotrowska; A. Barcz, 2000, Issues in developing ohmic contacts to GaN, Proc. IEEE Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, 6–8 Dec. 292-299.
• [2] E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, D. Bour, M. Zielinski, J. Jasinski, (2001), Formation of ohmic contacts to MOCVD grown p-GaN by controlled activation of Mg, Mat. Sci. & Eng. B 82, 265-267.
• [3] E. Kaminska, K. Golaszewska, A. Piotrowska, A. Kuchuk, R. Kruszka, E. Papis, R. Szeloch, P. Janus, T. Gotszalk, and A. Barcz, (2004), Study of Long term Stability of Ohmic Contacts to GaN, Phys. Stat. Sol. C 1, 219-222.
• [4] J. Jasiński, E. Kaminska, A. Piotrowska, A. Barcz, M. Zieliński, (2000), Microstructure and Thermal Stability of Transition Metal Nitrides and Borides on GaN, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 622, T6. 34. 1-6; Dec. 2000.
• [5] U. K. Mishra, Shen Likun, T. E. Kazior, and Yi-Feng Wu, 2008. “GaN-Based RF Power Devices and Amplifiers,” Proc. IEEE, vol. 96, no. 2, pp. 287–305, Feb.
• [6] B. J. Baliga, (2013) “Gallium nitride devices for power electronic applications,” Semicond. Sci. Technol., vol. 28, no. 7, p. 074011, Jul. 2013.
• [7] A. Taube, E. Kamińska, M. Kozubal, J. Kaczmarski, W. Wojtasiak, J. Jasiński, M. A. Borysiewicz, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, M. Myśliwiec, E. Dynowska, A. Barcz, P. Prystawko, M. Zając, R. Kucharski, and A. Piotrowska, (2015) “Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs using C or Al: Ion implantation for isolation of AlGaN/GaN HEMTs,” Phys. Status Solidi A, vol. 212, no. 5, pp. 1162–1169, Feb. 2015.
• [8] M. Góralczyk and D. Gryglewski, (2016) “S-band GaN PolHEMT power amplifier,” 2016 21st International Conference on Microwave, Radar and Wireless Communications (MIKON), Krakow, Poland, pp. 1-4. , doi: 10.1109/MIKON.2016.7492073.
• [9] A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, M. Ekielski, M. Juchniewicz, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, E. Kamińska, A. Piotrowska: (2015) “High-voltage AlGaN/GaNon-Si HEMTs with ohmic and Schottky drain electrodes”, Smart Engineering of New Materials 2015, Łódź, 21-25.06.2015.
• [10] A. Taube, J. Kaczmarski, R. Kruszka, J. Grochowski, K. Kosiel, K. Gołaszewska-Malec, M. Sochacki, W. Jung, E. Kamińska, and A. Piotrowska, (2015) “Temperature-dependent electrical characterization of high-voltage AlGaN/GaN-on-Si HEMTs with Schottky and ohmic drain contacts,” Solid-State Electron., vol. 111, pp. 12–17, Sep. 2015.