Badania quasi – rezonansowego dwufazowego przekształtnika typu boost z zaworami Si i SiC

• Autorzy: Zimoch P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.07.45

Warianty tytułu

EN

Interleaved quasi–resonant boost converter with Si and SiC devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł opisuje badania sprawności dwufazowego przekształtnika DC/DC boost ZVS. W układzie zastosowano trzy warianty zaworów: tranzystorów i diod Si, wariant mieszany – tranzystory SiC MOSFET i diody Si, oraz wariant „full SiC” z tranzystorami SiC MOSFET i diodami SiC Schottky. Średnio uzyskano wzrost sprawności o około 7 punktów procentowych po zastosowaniu SiC MOSFET i wzrost o dalsze 0,9 p.p. po wprowadzeniu diod SiC.

EN

The paper presents results of efficiency measurement of a 600 kHz interleaved, zero-voltage switching, two-phase boost converter. Three sets of semiconductor devices were used: silicon MOSFETs and diodes, SiC MOSFETs and Si diodes, and a “full SiC” set with SiC MOSFETs and SiC diodes. On average efficiency had risen nearly 7 percentage points after implementing SiC MOSFETs and a further 0,9 p.p. increase was recorded after using SiC Schottky diodes.

Słowa kluczowe

PL

energoelektronika; przekształtnik boost; tranzystor SiC MOSFET; przekształtnik quasi-rezonansowy

EN

power electronic; boost converter; SiC MOSFET transistor; quasi–resonant converter

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 7
• Strony: 183--186
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zimoch P.

• Politechnika Śląska, Katedra Energoelektroniki, Napędu Elektrycznego i Robotyki, ul. B. Krzywoustego 2, 44-100 Gliwice

Bibliografia

• [1] Elasser A., Chow T.P, Silicon Carbide Benefits and Advantages for Power Electronics Circuits and Systems, Proc. of the IEEE, 90 (2002), n.6, 969-986
• [2] Rąbkowski J., Peftitsis D., Nee H.P., Silicon Carbide Power Transistors: A New Era in Power Electronics Is Initiated, IEEE Industrial Electronics Magazine, 6 (2012), n.2, 17-26
• [3] Biela J., Schweizer M., Waffler S., Kolar J.W., SiC versus Si – Evaluation of Potentials for Performance Improvement of Inverter and DC/DC Converter Systems by SiC Power Semiconductors, IEEE Transactions on Industrial Electronics, 58 (2011), n.7, 2872-2882
• [4] Hazra S., Madhusoodhanan S., Bhattacharya S., Moghaddam, G.K., Hatua K., Design considerations and performance evaluation of 1200 V, 100 A SiC MOSFET based converter for high power density application, Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), 15-19 Sept. 2013, Denver, USA
• [5] Zheng C., Yiying Y., Danilovic M., Boroyevich D., Performance evaluation of SiC power MOSFETs for high-temperature applications, 2012 15th International Power Electronics and Motion Control Conference (EPE/PEMC), 4-6 Sept. 2012, Novi Sad, Serbia
• [6] Zimoch P., Quasi – rezonansowy dwufazowy przekształtnik DC/DC podwyższający napięcie, Przegląd Elektrotechniczny, 94 (2018), n.3, 116-119
• [7] STMicroelectronics, STW65N80K5 Power MOSFET Datasheet
• [8] STMicroelectronics, SCT30N120 SiC Power MOSFET Datasheet
• [9] Fairchild Semiconductor, RURG3060 Ultrafast Diode Datasheet
• [10] STMicroelectronics, STPSC1006 Power Schottky SiC Diode Datasheet

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).