Wpływ położenia oksydacji na optyczne i elektryczne właściwości laserów typu VCSEL

• Autorzy: Śpiewak P. , Wasiak M.

Warianty tytułu

EN

Impact of oxidation position on certain optical and electrical properties of a VCSEL

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki modelowania lasera złączowego z pionową wnęką rezonansową o emisji powierzchniowej z warstwami oksydowanymi, emitującego falę o długości 980 nm. W ramach pracy przeprowadzono obliczenia cieplne, elektryczne i optyczne dla laserów posiadających dwie oksydacje, umieszczone w węzłach lub poza węzłami fali stojącej. Symulacje pokazały, że nawet niewielkie wysunięcie oksydacji z węzłów fali zmienia istotnie właściwości optyczne lasera.

EN

In this paper are presented results of numerical modeling of an oxide-confined vertical-cavity surface-emitting laser emitting at 980 nm. Simulations of thermal, electrical and optical phenomena were performed for a laser with the oxide layers at nodes of the standing wave and for a laser where the oxide layers were shifted by 20 nm from nodes. The simulations have shown that even such a small displacement change significantly some optical parameters of the laser.

Słowa kluczowe

PL

laser półprzewodnikowy; laser VCSEL; modelowanie; oksydacja; GaAs

EN

semiconductor laser; VCSEL; numerical modelling; oxidation; GaAs

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2015
• Tom: R. 91, nr 9
• Strony: 170--173
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys.

Twórcy

autor

Śpiewak P.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

autor

Wasiak M.

• Politechnika Łódzka, Instytut Fizyki, ul. Wólczańska 219, 90-924 Łódź

Bibliografia

• [1] Sarzała R.P., Nakwaski W., Separate-confinement-oxidation vertical-cavity surface-emitting laser structure, Journal of Applied Physics 99(12), 2006
• [2] Piskorski Ł., Sarzała R.P., Nakwaski W., Self-consistent model of 650 nm GaInP/AlGaInP quantum-well vertical-cavity surfaceemitting diode lasers, Semiconductor Science and Technology 22(6), 593, 2007
• [3] Li H., Moser P., Wolf P., Larisch G., Frasunkiewicz L., Dems M., Czyszanowski T., Lott J.A., and Bimberg D., Energy efficiency, bit rate, and modal properties of 980 nm VCSELs for very-short-reach optical interconnects, Proc. SPIE 9001, 90010B–90010B–8, 2014
• [4] Moser P., Lott J.A., Larisch G. and Bimberg D., Impact of the Oxide-Aperture Diameter on the Energy Efficiency, Bandwidth, and Temperature Stability of 980-nm VCSELs, IEEE Journal of Lightwave Technology, 33(4), luty 2015.