PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Annealing Temperature Effects on the Optical Properties of CdO Thin Films Deposited by CSP Technique

Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
By chemical spray pyrolysis method. The CdO thin film prepared at constant film thickness (350 nm). The prepared films are annealed at a temperature of 450 and 500 °C. The optical properties are calculated from the measurement of UV-Visible spectrophotometer spectrum in the range of (300-900) nm at room temperature. The transmittance, absorption coefficient, extinction coefficient, refractive index, and skin depth are calculated as annealing temperature. The energy gap decreased from 2.52 eV to 2.47 eV when the annealing temperature increased from room temperature to 500 °C.
Słowa kluczowe
Rocznik
Tom
Strony
63--71
Opis fizyczny
Bibliogr. 21 poz., rys., tab.
Twórcy
autor
  • Department of Physics, College of Education, Al-Mustansiriyah University, Baghdad, Iraq
Bibliografia
  • [1] Champness C.H., Chan C.H., Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 37 (1995) 75.
  • [2] Liu X, Xu Z, Shen Y., Proc Int. Conf Solid State Sens. Act. 1 (1997) 585-588.
  • [3] A. Gulino, F. Castelli, P. Dapporto, P. Rossi, I. Fragala, Chem. Mater. 14 (2002) 704.
  • [4] Lima S. A. M., F. A. Sigoli, M. R. Davolos, M. Jafericci Jr. J. Alloys Comp. 344 (2002) 280.
  • [5] Ghosh M., C. N. R. Rao, Chem. Phys. Lett. 393 (2004) 493.
  • [6] Dong W., C. Zhu, Optical Mater. 22 (2003) 227.
  • [7] N. Benramdane, W.A. Murad, R.H. Misho, M. Ziane, Z. Kebbab, Materials Chmistry and physics 48(2) (1997) 119-123.
  • [8] S. Chandramohan, A. Kanjilal, S.N. Sarangi, S. Majumder, R. Sathyamoorthy, T.Som, Appl. Phys. A99 (2010) 837-842.
  • [9] H. Khallaf, I.O. Oladeji, G. Chai, Chow, Thin Solid Films 516 (2008) 7306.
  • [10] G. Ichuk, V. Kusnezh, P. Shapowal, F. Tsupko, R. Petrus, S. Tokarev, O. Horbva, J. Nano-Electron. Phys. 1(2) (2009) 36.
  • [11] X.L. Tong, D.S. Jiang, Z.M. Liu, M.Z. Luo, P.X. Lu, G. Yang, H. Long, Thin Solid Films 516 (2008) 2003.
  • [12] S. Chandramohan, A. Kanjilal, J.K. Tripathi, S.N. Sarange, R. Sathyamoorthy, T. Som, J. Appl. Phys. 105 (2009) 123507.
  • [13] M.L. Alor-aguilera, M.A. Gonzaez-TRUJLLO, A. Cruz-Orea, M. Tufino-Velazquez, Thin Solid Films 517 (2009) 2335.
  • [14] A. Podesta, N. Armani, G. Salviati, N. Romeo, A. Bosio, M. Prato, Thin Solid Films 448 (2008) 511-512.
  • [15] C.S. Tepantlan, A.M. Perezgonzalez, V. Arreola, Rev. Mexicana de Fisica 54(2) (2008) 112.
  • [16] N. F. Mott and E. A. Davis, "Electronic Processes in Non- crystalline Material",Oxford University press, Oxford, 1979.
  • [17] A. Ashour, Turk J Phys 27 (2003) 551-558.
  • [18] B. L. Sharma and R.K. Purohit, "Semiconductor Hetrojunction" Pergomon Press, New York, 1974.
  • [19] N. A. Subrahamanyam: A Text Book of Optics, Ninth ed., BRJ Laboratoray Delhi, India 1977.
  • [20] Eloy J. F. (1984). Power Lasers, National School of Physics,Grenoble, France, John Wiley and Sons, 59.
  • [21] T. Mahalingam, V. Dhanasekaran, Ravi G, Lee S, Chu JP, Lim H-J., J Optoelectron Adv Mater 12 (2010) 1327-1332.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-e1027759-ed16-4eaa-a62f-900a2880e299
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.