Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Research on characteristics of Z-FET MOSFET CMF20120D transistor made of silicon carbide by CREE
Języki publikacji
Abstrakty
Przedstawiono wyniki badań tranzystora CMF20120D wykonanego z węglika krzemu w standardowym teście dwupulsowym.
The paper presents results of tests (standard two-pulse tests) of CMF20120D transistor made of silicon carbide.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
38--41
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys.
Twórcy
autor
- Zakład Przekształtników Mocy Instytutu Elektrotechniki, Warszawa
autor
- Zakład Przekształtników Mocy Instytutu Elektrotechniki, Warszawa
Bibliografia
- [1] Philip G.: Neudeck Silicon Carbide Technology, 2006
- [2] Adamowicz M. i in.: Układy sterowania bramkowego tranzystorów z węglika krzemu SiC JFET w falownikach napięcia. Przegląd Elektrotechniczny 2012 nr 4b
- [3] Rąbkowski J., Zdanowski M., Barlik R.: Sterowniki bramkowe dla tranzystorów z węglika krzemu (SiC) - przegląd rozwiązań. Przegląd Elektrotechniczny 2012 nr 4b
- [4] Kim A.: Switching-Loss Measurement of Current and Advanced Switching Devices for Medium - Power Systems. Master of Science in Electrical Engineering 2011 No 10
- [5] CMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode 2012
- [6] Zymmer K., Mazurek P.: Comparative investigation of SiC and Si Power electronic devices operating at high switching frequency. Bulletin of the polish academy of sciences technical sciences 2011 No 4
- [7] Michalski A., Zymmer K.: Przyrządy półprzewodnikowe z węglika krzemu w przekształtnikach energoelektronicznych. Prace Instytutu Elektrotechniki 2010 nr 248
- [8] Wijesundara M., Azevedo R.: Silicon Carbide Microsystems for Harsh Environments, 2011
- [9] http://sic.dsod.pl
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-e062736b-c1b4-425b-9790-118fa9de372b