Identyfikatory
Warianty tytułu
Comparison of Si and SIC MOSFET parameters
Języki publikacji
Abstrakty
W artykule przedstawiono porównanie parametrów tranzystorów MOSFET wykonanych w klasycznej technologii krzemowej (Si) oraz z węglika krzemu (SiC). W szczególności dokonano pomiarów charakterystyk rezystancji dren-źródło (RDS(ON)) w stanie ustalonym od napięcia bramka-źródło (UGS). Wskazano na istotne różnice w charakterystykach tranzystorów SiC w stosunku do Si. Przedstawiono zastosowaną metodę pomiarową oraz przedyskutowano wyniki.
The paper presents comparison of MOSFET parameters manufactured in standard silicon technology (Si) and silicon carbide (SiC) technology. Drain-source static resistance characteristics (RDS(ON)) as a function of gate-source voltage have been measured. Important differences in both transistor types characteristics were highlighted. Measurement method has been presented.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
79--81
Opis fizyczny
Bibliogr. 7 poz., tab., wykr.
Bibliografia
- [1] N. Mohan, T. M. Undeland, W. P. Robbins „Power Electronics”, John Wiley & Sons, 2003.
- [2] K. Kościewicz, E. Tymicki, K. Grasza, „SiC - materiał dla elektroniki”, Elektronika 9/2006.
- [3] W. Janke, „Węglik krzemu w energoelektronice – nadzieje i ograniczenia”, Przegląd Elektrotechniczny 11/2011.
- [4] IRF840: http://www.vishay.com/docs/91070/91070.pdf.
- [5] IRFB4229PbF: http://www.irf.com/product-info/datasheets/data/irfb-4229pbf.pdf.
- [6] SCT2080KE: http://rohmfs.rohm.com/en/products/databook/datasheet/discrete/sic/mosfet/sct2080ke.pdf.
- [7] CMF20120D:http://www.cree.com/~/media/Files/Cree/Power/Data%20Sheets/CMF20120D.pdf.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-df4f1ead-2525-49eb-9b2d-e113a34912db