Wykorzystanie testów symetrycznych w transparentnym testowaniu pamięci RAM

• Autorzy: Mrozek I.

Warianty tytułu

EN

Symmetric tests usage in RAM transparent tests

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Artykuł przedstawia strategię testowania pamięci wykorzystywaną w technice BIST opartą o symetryczne testy pamięci. Technika symetrycznych testów pamięci gwarantuje, iż proces testowania odbywa się w niezwykle efektywny i szybki sposób. Jej wykorzystanie pozwala zmniejszyć złożoność procesu testowania o około 30% w porównaniu ze standardową metodą testowania transparentnego opartą o sygnaturę odniesienia. Fakt ten ma niezwykle istotne znaczenie jeśli weźmie się pod uwagę bieżące i przyszłe rozmiary uzywanych pamięci.

EN

Computer systems play a significant role almost in each area of life. Therefore we have to ensure their correct working. One of the most important components of each computer system is its memory. So, it is very important to identify a memory fault as soon as it occurs. Memory fault can take place at any time. Therefore we have to test the memory while booting system and periodical when the computer system is in use. In the first case (sometimes in the second case too) we can use a non-transparent memory test, in second case we should use transparent memory test. In this paper we would like to present symmetric version of transparent memory tests which allow us to reduce about 30% the time of the process of memory testing in comparing with the standard non symmetric methods.

Słowa kluczowe

PL

testowanie pamięci; transparentne testy pamięci; testy krokowe; symetryczne testy pamięci; BIST

EN

memory testing; transparent memory tests; step tests; symmetric memory tests; BIST built-in-self test

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Poznański Instytut Technologiczny
• Czasopismo: Logistyka
• Rocznik: 2012
• Tom: nr 3
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., tab., pełen opis na CD

Twórcy

autor

Mrozek I.

• Instytut Informatyki i Automatyki, Państwowa Wyższa Szkoła Informatyki i Przedsiębiorczości w Łomży

Bibliografia

• [1] Sokol B., Mrozek I., Yarmolik V.N.: Impact of the Address Changing on the Detection of Pattern Sensitive Faults, Information Processing and Security Systems, Springer 2005, pp.: 217-225.
• [2] Marinissen E. J., Prince B., Keitel-Schulz D., Zorian Y.: Challenges in Embedded Memory Design and Test, Proceedings of the conference on Design, Automation and Test in Europe - Volume 2 (DATE '05), Vol. 2 DATE 2005, pp 722-727.
• [3] Sokół B., Mrozek I., Yarmolik V.N.: Transparent March Tests to effective Pattern Sensitive Faults Detection, EASTWEST DESIGN & TEST WORKSHOP - EWDTW’04, Jałta, Ukraina 22-26 września 2004, str.: 166-171.
• [4] van de Goor A. J.: Testing Semiconductor Memories, Theory and Practice, Chichester, John Wiley & Sons, (1991).
• [5] Koeneman B., oral presentation, Design For Testability Workshop, Vail Colo, Apr. 1986.
• [6] Nicolaidis M.: Transparent BIST for RAMs, Proceedings IEEE International Test Conference 1992.
• [7] Yarmolik V.N., Hellebrand. S., Wunderlich H.J.: Symmetric Transparent BIST for RAMs, Proceedings of Design and Test in Europe (DATE’99), Munich, March, 1999, pp. 702-707.
• [8] Mrozek I., Wykrywanie i lokalizacja uszkodzeń pamięci RAM oparte o transparentne testy pamięci, rozprawa doktorska, Wydział Informatyki, Politechnika Białostocka, 2004.
• [9] Burns A, Wellings A.: Real time systems and programming languages, Addision Wesley Longmain (2001).
• [10] Lewis W. D.: Fundamentals of Embedded Software, Printice Hall. (2002).
• [11] Mrozek I., Yarmolik V.N.: Detection of Pattern Sensitive Faults based on transparent march tests, Proceedings Mixed Design of Integrated Circuits and Systems – MIXDES’03, pp.542-545,Lodz 26-28 June 2003.
• [12] Mrozek I, Yarmolik, V.N.: Transparentne testowanie pamięci RAM oparte na charakterystyce adresowej, Elektronika, R.51, nr 9, s. 161-163, 2010.
• [13] Chin-Lung S.,Rei-Fu H.,Cheng-Wen W.,Kun-Lun L., Wen Ching W.: Built-in Self-Diagnosis and Repair Design With Fail Pattern Identification for Memories IEEE Trans. VLSI Syst., 12, Vol. 19, 2011, pp. 2184-2194.