Calibration of temperature-sensitive parameter for Silicon Carbide SBD’S

• Autorzy: Kraśniewski J. , Janke W.
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Thermal properties of semiconductor device may be characterized by thermal parameters or characteristics such as thermal resistance and thermal impedance. In order to calculate the thermal resistance or thermal impedance one must have a calibration curve of temperature-sensitive parameter of the device (e.g. the voltage drop across a junction). For the obtaining the calibration curve by measurement, the temperature chamber has to be used. Another possibility is to predict this curve theoretically from analytical equations or by simulations (e.g. PSPICE). In the paper, the simulation and theoretical predictions of temperature-sensitive parameter calibration curves are compared with the results of measurement for SiC devices with metal-semiconductor junction.

PL

Właściwości termiczne elementów półprzewodnikowych można charakteryzować poprzez parametry lub charakterystyki termiczne, takie jak rezystancja i impedancja termiczna. W celu wyznaczenia rezystancji lub impedancji termicznej elementu półprzewodnikowego musimy posiadać krzywą kalibracji parametru termoczułego (np. spadek napięcia na złączu). Dla uzyskania pomiarowej krzywej kalibracyjnej należy wykorzystać komorę temperaturową. Inną możliwością jest teoretyczne przewidywanie ww. krzywej z równań analitycznych lub symulacji (np. PSPICE). W niniejszej pracy porównano krzywe kalibracyjne parametru termoczułego otrzymane na drodze symulacji i teoretycznych obliczeń z wynikami pomiarów dla urządzeń SiC o złącze m-s.

Słowa kluczowe

EN

temperature-sensitive parameter calibration curves; silicon carbide Schottky barrier diodes

PL

krzywa kalibracyjna parametru termoczułego; dioda Schottky'ego z węglika krzemu

• Wydawca: Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
• Rocznik: 2016
• Tom: Nr 9
• Strony: 77--83
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kraśniewski J.

• Faculty of Electronics and Computer Sciences, Koszalin University of Technology, Poland

autor

Janke W.

• Faculty of Electronics and Computer Sciences, Koszalin University of Technology, Poland

Bibliografia

• 1. P.M. Igic, P.A. Mawby, M.S. Towers and S. Batcup, Thermal model of power semiconductor devices for electro-thermal circuit simulations, INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS, Vol 1, 12-15 MAY 2002, pp. 171-174.
• 2. W. Janke, Thermal Phenomena in Semiconductor Devices, WNT, Warszawa, 1992 (In Polish).
• 3. W. Janke, J. Kraśniewski, M. Kraśniewski, M. Oleksy, J. Mizeraczyk, M. Kocik, Measurements of thermal transients in semiconductor devices in the internal or external power excitation mode, IMAPS, Poland, 17-19 September 2003, pp. 177-180.
• 4. W. Janke, J. Kraśniewski, The investigations of transient thermal characteristics of microwave transistors, Metrol. Meas. Syst., vol. XVI (2009), no.3, pp. 433-442.
• 5. Department of defense MIL-STD-750D, Test method standard semiconductor devices, 28 Feb 1995.
• 6. EIA/JESD51, Methodogy for the Thermal Measurement of Component Packages (Single Semiconductor Device), Dec 1995 - Nov 2010.
• 7. S. Ferrero, F. Giorgis, C.F. Pirri, P. Mandracci, C. Ricciardi, L. Scaltrito, C. Sgorlon, G. Richieri, L. Merlin, Processes nad properties of 4H-SiC based Schottky diodes, CNR-MASPEC, March 2002 Parma.
• 8. PSpice Model - SiC Schottky Diode: http://www.cree.com/products/power_docs.asp