Wykorzystanie modeli symulacyjnych do wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach podwójnego mostka aktywnego

• Autorzy: Grzejszczak P. , Nowak M. , Barlik R.

Identyfikatory

DOI

10.12915/pe.2014.02.48

Warianty tytułu

EN

Simulation and laboratory investigations of switching power losses in dual active bridge MOSFET’s

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W referacie przedstawiono wyniki badań symulacyjnych oraz pomiarów laboratoryjnych mające na celu udoskonalenie metodyki wyznaczania strat łączeniowych w tranzystorach MOSFET pracujących w przekształtnikach mostkowych. Obiektem, w odniesieniu do którego prowadzono badania jest podwójny mostek aktywny, dla którego uwzględniono znamienne stany pracy charakteryzujące sie miękkim i twardym załączaniem tranzystorów oraz specyficznymi warunkami przełączania przy niewielkim obciążeniu. Podany jest sposób wykorzystania i ocena przydatności firmowych modeli w SPICE przy wyznaczeniu strat w stanach dynamicznych tranzystorów MOSFET.

EN

In the paper some results of simulation and real laboratory measurements in the aim of improvement of methodology of power switching loss estimation in MOSFET’s are presented. The objective converter circuit respectively which the investigations are done is dual active bridge. Its specific mode of working as soft or hard switching as well as switching at low loads has been taken into account. The example of application of producer applied MOSFET SPICE models for switching power loss estimation is given.

Słowa kluczowe

PL

straty łączeniowe MOSFET’ów; podwójny mostek aktywny; pomiary termowizyjne mocy

EN

MOSFET switching power losses; dual active bridge; thermovision power measurement

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 2
• Strony: 186--190
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., schem., tab., wykr.

Twórcy

autor

Grzejszczak P.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Nowak M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Barlik R.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Krismer F., Kolar J.W., Accurate Power Loss Model Derivation of a High-Current Dual Active Bridge Converter for an Automotive Application, Industrial Electronics, IEEE Transactions on , vol.57, no.3, March 2010, 881-891
• [2] Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R., Procesy łączeniowe tranzystorów MOSFET w mostkach wysokonapięciowych, Elektronika, 53 (2012), nr 12, 27-30
• [3] Hancock J., Stueckler F., Vecino E., CoolMOS C7: Mastering the Art of Quickness, A technology description and design guide, Application Note AN2013-04, rev.1, (2013)
• [4] Nowak M., Grzejszczak P., Zdanowski J., Barlik R., Pomiary termiczne dla weryfikacji wartości strat łączeniowych w półprzewodnikowych przyrządach mocy, Przegląd Elektrotechniczny, 88 (2012), nr 4b, 163-168
• [5] Buttay C., Morel H., Allard B., Lefrance P., Brevet O., Model requirements for simulation of Low-voltage MOSFET In Automotive Aplications, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol.21, No 3, May 2006, 613-623
• [6] STMicroelectronics, Nota katalogowa tranzystora MOSFET STW55NM60N, rev. 4,(2008)
• [7] Infineon, Nota katalogowa tranzystora MOSFET CoolMOS IPW60R070C6, rev. 2.1, (2010)
• [8] International Rectifier, Nota katalogowa tranzystora MOSFET IRFP4468Pbf, (2008)