Memrystor : brakujący element elektroniczny

• Autorzy: Domaradzki J. , Kaczmarek D. , Wojcieszak D. , Mazur M. , Poniedziałek A. , Kotwica T.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.7.3

Warianty tytułu

EN

Memristor : the missing electronics element

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Określenie memrystor odnosi się do klasy dwukońcówkowych, pasywnych elementów elektronicznych, charakteryzujących się nieliniową zależnością prądowo-napięciową z pętlą histerezy oraz zdolnością do zapamiętywania swojego stanu (oporu elektrycznego) [1]. Właściwości memrystorów opisane zaostały w pracy Leona Chua w 1971 roku [2]. Jednakże prawdziwy rozgłos memrystor zyskał w 2008 roku za sprawą publikacji naukowców z laboratoriów firmy Hewlett Packard [3]. Odkrycie memrystora zweryfikowane zostało następnie krytycznie w 2015 roku. Niniejsza praca zawiera przegląd dotyczący podstawowych właściwości i potencjalnego zastosowania memrystorów. W artykule zamieszczono również przykłady właściwości cienkowarstwowych struktur na bazie tlenków metali przejściowych, dla których obserwowany jest efekt histerezy na charakterystykach prądowo-napięciowych.

EN

Memristor describes a class of two terminal, passive electronics elements with non-linear current to voltage characteristics in the form of pinched hysteresis loop and ability to remember its state (resistance) [1]. The properties of memristors were described in the work by Leon Chua in 1971 [2]. But, a real fame it gained in 2008 after publication of scientists from Hewlett Packard [3]. The discovery of memristor was then critically verified in 2015. Present work contains a short review of basic properties and possible applications of memristors. In the paper some exemplary results of electrical properties of thin film structures based on transition metal oxides for which a hysteresis loop has been observed in I-V dependence were also presented.

Słowa kluczowe

PL

memrystor; pasywne elementy elektroniczne

EN

memristor; passive electronics elements

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 7
• Strony: 9--11
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Domaradzki J.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Kaczmarek D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Wojcieszak D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Mazur M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Poniedziałek A.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Kotwica T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

Bibliografia

• [1] Chew Z.J., Li L., 2013, A discrete memristor made of ZnO nanowires synthesized on printed circuit board, Materials Letters, 91, s. 298-300.
• [2] Chua L.O., 1971, Memristor – The Missing Circuit Element, IEEE Transactions on Circuit Theory, vol. CT-18, nr 5, s. 507-519.
• [3] Strukov D.B., Snider G.S., Stewart D.R., Williams R.S., 2008, The missing memristor found, Nature 453, s. 80-83.
• [4] Chua L.O., Kang S.Mo, 1976, Memristive devices and systems, Proc. IEEE 64, 2, s. 209.
• [5] Radwan A.G., Fouda M.E., 2015. On the Mathematical Modeling of Memristor, Memcapacitor, and Meminductor, Springer.
• [6] V ongehr S., Meng X., 2015.The Missing Memristor has Not been found, Nature Scientific Reports 5:11657.
• [7] Adhikari S.P., Sah M.P., Kim H., Chua L.O., 2013, Three Fingerprints of Memristor, IEEE Transactions on Circuits and Systems, 60, s. 3008-3021.
• [8] Dongale T.D., Shinde S.S., Kamat R.K., Rajpure K.Y., 2014, Nanostructured TiO2 thin film memristor using hydrothermal process, J. All. Comp., 593, s. 267-270.
• [9] Kim K.M., Han S., Hwang C.S., 2011, Electronic bipolar resistance switching in an anti-serially connected Pt/TiO2 /Pt structure for improved reliability, Nanotechnology 23, 035201, s. 1-7.
• [10] Awais M.N., Muhammad N.M., Navaneethan D., Kim H.C., Jo J., Choi K.H., 2013, Fabrication of ZrO2 layer through electrohydrodynamic atomization for the printed resistive switch (memristor), Microelectronic Engineering, 103, s. 167-172.
• [11] Parreira P., McVitie S., MacLaren D.A., Resistive switching in ZrO2 films: physical mechanism for filament formation and dissolution, J. Phys.: Conference Series 522, 2014.
• [12] Han Y., Cho K., Kim S., 2011, Characteristics of multilevel bipolar resisitve switching in Au/ZnO/ITO devices on glass, Microelectronic Engineering, 88, s. 26082610.
• [13] Tan T.T., Chen X., Guo T.T., Liu Z.T., 2013, Bipolar Resistive Switching Characteristics of TiN/Hf/ITO Devices for Resistive Random Access Memory Applications, Chinese Physics Letters, 30, s. 107302-1-107302-3.
• [14] Lee H-Y., Chen P-S., Wang C-C., Maikap S., Tzeng P-J., Lin C-H., Lee L-S., Tsai M-J., 2007, Low-Power Switching of Nonvolatile Resistive Memory Using Hafnium Oxide, Japanese Journal of Appl. Phys., 46, s. 2175-2179.
• [15] Domaradzki J., 2016, Perspectives of development of TCO and TOS thin films based on (Ti-Cu)oxide composites, Surf. Coat. Technol., 290, s. 28-33.

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.