Kinetyka wzrostu powłok Al2O3 osadzanych metodą PED i PLD

• Autorzy: Jędrzejewski R. , Baranowska J. , Bańczerowska P.

Warianty tytułu

EN

Kinetics of AI2O3 film growth deposited by PED and PLD method

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem pracy było zbadanie kinetyki osadzania powłok dwoma metodami PVD: PLD - pulsacyjną ablacją laserową oraz PED - pulsacyjną ablacją elektronową. Otrzymano serie powłok A120, na podkładzie Si. W zależności od ciśnienia tlenu panującego w komorze przy danej liczbie strzałów otrzymano powłoki o różnej grubości, a więc przy różnej szybkości osadzania. Metodą XRD oraz SEM-EDS potwierdzono obecność A120, na powierzchni. Wykazano, iż dobór ciśnienia panującego w komorze ma istotny wpływ na morfologię powłoki.

EN

The objective of the research was to investigate the kinetics of thin film deposition by two PVD methods: PLD - Pulsed Laser Deposition and PED - Pulsed Electron Deposition. A series of Al2O3 coatings on the Si substrate were obtained. Depending on the oxygen pressure in the chamber by a given number of shots coatings with different thickness were obtained, which means with a different deposition rate. The presence of Al203, was confirmed by means of XRD and SEM-EDS methods. lt has been shown that the oxygen pressure in the chamber has a major impact on the morphology of the coatings.

Słowa kluczowe

PL

pulsacyjna ablacja laserowa; pulsacyjna ablacja elektronowa; cienki film Al2O3

EN

pulsed laser deposition; pulsed electron deposition; AI2O3 thin film

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Inżynieria Materiałowa
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 34, nr 5
• Strony: 463--466
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Jędrzejewski R.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie

autor

Baranowska J.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie

autor

Bańczerowska P.

• Instytut Inżynierii Materiałowej, Zachodniopomorski Uniwersytet Technologiczny w Szczecinie

Bibliografia

• [1] Wang J., Yu Y. H., Lee S. C., Chung Y. W.: Tribological and optical properties of crystalline and amorphous alumina thin film grown by low- temperature reactive magnetron sputter-deposition. Surface and Coatings Technology 146-147 (2001) 189÷194.
• [2] Haanappel V. A. C., Van Corbach H. D., Fransen T., Gellings P. J.: Properties of alumina films prepared by low-pressure metal-organic chemical Vapor deposition. Surface and Coatings Technology 72 (1995) 13÷22.
• [3] Pillonnet A., Garapon C., Champeaux C., Bovier C., Jaffrezic H., Mugnier J.: Fluorescence of Cr3* doped alumina optical waveguides prepared by pulsed laser deposition and sol-gel method. Journal of Luminescence 87-89 (2000) 1087÷1089.
• [4] Chaug Y. S., Roy N.: Reactions at the aluminum oxide-ferrite interface. Thin Solid Films 193-194 (1990) 959÷964.
• [5] Ruppi S., Larsson A.: Chemical Vapour deposition of K-AIZO3. Thin Solid Films 388 (2001) 50÷61.
• [6] Chrisey D. B., Hubler G. K.: Pulsed laser deposition of thin films. Wiley, New York (1994).
• [7] Strikowski M. D., Kim J., Kolagani S. H.: Plasma energetics in pulsed laser and pulsed elektron deposition. Springer Handbook of Crystal Growth (2010) 1193÷1211.
• [8] Irissou E., Le Drogoff B., Chaker M., Trudeau M., Guay D.: Nanostructured gold thin films prepared by pulsed laser deposition. Journal of Materials Research 19 (2004) 950÷958.
• [9] Irissou E., Le Drogoff B., Chaker M., Guay D.: Correlation between plasma expansion dynamics and gold-thin film structure during pulsed-laser deposition. Applied Physics Letters 80 (2002) 1716÷1718.
• [10] Riabinina D., Chaker M., Rosei F.: Correlation between plasma dynamics and porosity of Ge films synthesized by pulsed laser deposition. Applied Physics Letters 89 (2006) 131501/1÷131501/3.
• [11] Di Fonzo F., Bailini A., Russo V., Baserga A., Cattaneo D., Beghi M. G., Ossi P. M., Casari C. S., Li Bassi A., Bottani C. E.: Synthesis and characterization of tungsten and tungsten oxide nanostructureć, films. Catalysis Today 116 (2006) 69÷73.
• [12] Di Fonzo F., Tonini D., Li Bassi A., Casari C. S., Beghi _\/I. G., Bottani C. E., Gastaldi D., Vena P., Contro R.: Growth regimes in pulsed laser deposition of aluminum oxide films. Applied Physics A 93 (2008) 765÷769.
• [13] Cibert C., Hidalgo H., Champeaux C., Tristant P., Tixier C., Desmaison J., Catherinot A.: Properties of aluminum oxide thin films deposited by pulsed laser deposition and plasma enhanced chemical Vapour deposition. Thin Solid Films 516 (2008) 1290÷1296.