Epitaksja LP-MOVPE wysokorezystywnych warstw InP kompensowanych żelazem do zastosowania w kwantowych laserach kaskadowych

• Autorzy: Badura M. , Radziewicz D. , Ściana B. , Pucicki D. , Bielak K. , Dawidowski W. , Zborowska-Lindert I. , Kosior Ł. , Tłaczała M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.9.4

Warianty tytułu

EN

LP-MOVPE growth of isolating Fe-doped InP epilayers for QCL applications

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Kwantowe lasery kaskadowe są jednymi z najbardziej wyrafinowanych przyrządów półprzewodnikowych. Znajdują zastosowanie m. in. w spektroskopii fotoakustycznej, diagnostyce medycznej czy detekcji śladowych ilości niebezpiecznych gazów. Niektóre z tych aplikacji wymagają pracy ciągłej lasera, w temperaturze pokojowej. Aby zapewnić odpowiednie warunki pracy, niezbędne jest zastosowanie wydajnej techniki odprowadzania ciepła z obszaru rdzenia lasera. Jedną z możliwości jest osadzenie wysokorezystywnych warstw InP:Fe. W niniejszej pracy zaprezentowano etapy opracowywania technologii InP:Fe do zastosowań w kwantowych laserach kaskadowych. Warstwy były osadzone techniką LP-MOVPE na stanowisku firmy Aixtron. Jako źródeł materiałów grup III oraz V użyto odpowiednio: TMIn oraz PH3 (100%), natomiast atomy żelaza pozyskano z CP₂ Fe. Przeprowadzono diagnostykę otrzymanych struktur za pomocą takich technik jak HRXRD, AFM czy pomiary elektryczne I-V.

EN

Quantum cascade lasers are one of the most sophisticated semiconductor devices. Their main applications are photoacoustic spectroscopy, medical diagnostics and harmful gas sensing. Some of them need continuous wavelength operation mode at room temperature. In order to assure proper working conditions it is necessary to apply efficient technics of heat dissipation from the laser core. One of the possibilities is to use highly-resistivity InP:Fe layers. In the present work there is elaboration of InP:Fe technology presented. Layers were deposited using LP-MOVPE technique at the AIXTRON system. There were TMIn, PH3 and Cp2Fe materials used as a group III, V and dopant sources. Test structures were investigated by the means of HRXRD, AFM and I-V measurement techniques.

Słowa kluczowe

PL

LP-MOVPE; InP:Fe; kwantowe lasery kaskadowe; półprzewodniki wysokorezystywne

EN

LP-MOVPE; InP:Fe; quantum cascade laser; high-resistivity semiconductors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 9
• Strony: 19--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Badura M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Radziewicz D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Ściana B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Pucicki D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Bielak K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Dawidowski W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Zborowska-Lindert I.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kosior Ł.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] J. Faist et al, (1994) „Quantum cascade laser”, Science, 264 (5158), pp. 553–556.
• [2] M. Troccoli et al., 2005: “Room temperature continuous-wave operation of quantum-cascade lasers grown by metal organic vapour phase epitaxy,” Electronics Letters, vol. 41, no. 19, pp. 1059–1060, 15 September 2005.
• [3] M. Badura et al., 2014: „Technologia LP-MOVPE heterostruktur InGaAs/InP do konstrukcji kwantowych laserów kaskadowych”, Elektronika, R. 55, nr 11, s. 34–36.
• [4] D. G. Knight et al, „Low pressure MOCVD growth of buried heterostructure laser wafers using high quality semi-insulating InP”, Journal of Electronic Materials, Volume 21, Issue 2, pp. 165–171.

Uwagi

PL

Praca była współfinansowana przez Narodowe Centrum Badań i Rozwoju grant nr PBS1/B3/2/2012 „EDEN”, nr PBS2/ A3/15/2013 „PROFIT” oraz z działalności statutowej Politechniki Wrocławskiej.