Gate driver for SiC Mosfet transistors

• Autorzy: Mysiński W. , Jakubas W.

Identyfikatory

DOI

10.4467/2353737XCT.16.033.5295

Warianty tytułu

PL

Sterownik bramki tranzystorów Mosfet SiC

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

As new power transistors, such as SiC Mosfets, are being increasingly used in power electronics systems, it has become necessary to use special drivers. This article compares the parameters of SiC Mosfet, Si Mosfet, and IGBT gate circuits. Differences are discussed with reference to the ways in which these transistors are controlled. Gate circuit parameters of SiC transistors differ slightly from those of common Mosfet or IGBT transistors, and in order to be able to fully utilise the capabilities of these new devices, it is necessary to employ appropriate drivers. This article discusses one such driver for SiC transistors.

PL

Ze względu na coraz częstsze stosowanie nowych tranzystorów mocy typu Mosfet SiC w układach energoelektronicznych istnieje potrzeba zastosowania specjalnych układów sterowników bramek. Parametry obwodu bramki tranzystorów zbudowanych na węgliku krzemu są trochę inne niż typowych tranzystorów Mosfet lub IGBT i żeby w pełni wykorzystać właściwości tych nowych elementów, należy zastosować odpowiednie sterowniki. W artykule przedstawiono jeden z przykładów sterowników (tzw. gate driver) dla tranzystorów typu Mosfet SiC.

Słowa kluczowe

EN

SiC Mosfet; gate driver

PL

tranzystor Mosfet SiC; sterownik bramy

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Krakowskiej im. Tadeusza Kościuszki
• Czasopismo: Czasopismo Techniczne. Elektrotechnika
• Rocznik: 2016
• Tom: Y. 113, iss. 1-E
• Strony: 113--122
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., tab., wykr., il.

Twórcy

autor

Mysiński W.

• Institute of Electrotechnics and Computer Science, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

autor

Jakubas W.

• Institute of Electrotechnics and Computer Science, Faculty of Electrical and Computer Engineering, Cracow University of Technology

Bibliografia

• [1] Abuishmais I., Basu S., Undeland T., On Driving SiC Power JFETs, 14th International Power Electronics and Motion Control Conference, EPE-PEMC 2010.
• [2] Callanan B., Application Considerations for Silicon Carbide MOSFETs, Cree product literature, http://www.cree.com [online: 2.06.2016].
• [3] Callanan B., SiC MOSFET Isolated Gate Driver, Cree product literature, http://www.cree.com [online: 2.06.2016].
• [4] Górecki K., Zarębski J., Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu, „Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania”, Sigma-NOT, 9/2012, pp. 94–97.
• [5] Handbook of Power devices, Rohm product literature, http://www.rohm.com [online: 2.06.2016].
• [6] Hapka A., Janke W., Kraśniewski J., Oleksy M., Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur, „Elektronika: konstrukcje, technologie, zastosowania”, Sigma-NOT, 9/2012, pp. 98–101.
• [7] Peftitsis D., On Gate Drivers and Applications of Normally-ON SiC JFETs, Doctoral Thesis, KTH Electrical Energy Conversion School of Electrical Engineering SE-100 44 Stockholm, Sweden 2013.
• [8] Richmond J., Hard-Switched Silicon IGBTs? Cut Switching Losses in Half with Silicon Carbide Schottky Diodes, Cree product literature, http://www.cree.com [online: 2.06.2016].
• [9] Round S., Heldwein M., Kolar J., Hofsajer I., Friedrichs P., A SiC JFET Driver for a 5 kW, 150 kHz Three-Phase Sinusoidal-Input, Sinusoidal-Output PWM Converter, https://www.pes.ee.ethz.ch/uploads/tx_ethpublications/round_IAS05.pdf [online: 2.06.2016].
• [10] Rubino B., Catalisano G., Abbatelli L., Buonomo S., Comparative analysis of driving approach and performance of 1.2 kV SiC MOSFETs, Si IGBTs, and normally-off SiC JFETs, ST product literature, http://www.st.com [online: 2.06.2016].
• [11] SiC Power Devices and Modules. Application Note, Rohm product literature, Issue of August 2014, http://www.rohm.com [online: 2.06.2016].