Wpływ warstwy SiO₂ pokrywającej cząstki SiC na strukturę kompozytów AlMg5-SiC

• Autorzy: Zyska A. , Braszczyńska K.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono wyniki ilościowej oceny składników strukturalnych powstałych na drodze reakcji pomiędzy warstwą SiO₂ pokrywającą cząstki SiC a stopem osnowy AlMg5 w procesie wytwarzania kompozytów. Warstwy SiO₂ obecne na cząstkach SiC zostały wytworzone sztucznie poprzez utlenianie cząstek. Podczas wytrzymywania suspensji kompozytowej w temperaturze750ºC przy różnych czasach, od 5 do 35 minut, w wyniku reakcji SiO₂ ze stopem osnowy w badanych kompozytach powstawała pseudoeutektyka typu α+Mg₂Si. Udziały objętościowe tego składnika strukturalnego w osnowie kompozytów wytrzymywanych w różnym czasie określono dwoma niezależnymi metodami: (i) wyznaczenia (w oparciu o metodę ATD) funkcji spektralnego ciepła krystalizacji, oraz (ii) liniową metodą klasycznej metalografii ilościowej. Przeprowadzone badania pozwoliły na ustalenie przebiegu krzywej określającej udział objętościowy pseudoeutektyki w funkcji czasu wytrzymywania suspensji. Maksymalny udział objętościowy pseudoeutektyki wynosił 20% po czasie 25 minut. Dalsze wytrzymywanie suspensji nie powodowało już wzrostu ilości tego składnika strukturalnego.

EN

There have been presented results of quantitative assessment of structural components produced due to a reaction between the SiO₂ layer covering the SiC particles and the matrix alloy AlMg5 during the manufacturing of composites. The SiC particles have been artificially covered with the SiO₂ layers by oxidation. Composite suspension has been hold at a temperature of 750ºC for 5 to 35 minutes. As a result of the above mentioned reaction, a pseudoeutectic of α+Mg₂Si type has been originated. Volume fractions occupied by this structural component have been determined by means of two independent methods: (i) determining (on the base of the ATD method) the function of the spectral heat of crystallization, and (ii) using the linear method of conventional quantitative metallography. The investigations have allowed for fixing the curve determining the pseudoeutectic volume fraction versus the time of suspension holding. The maximum pseudoeutectic volume fraction has been equal to 20% after 25-minutes' time. Further holding of suspension has caused no more increase in the quantity of the investigated structural component.

Słowa kluczowe

PL

warstwa SiO2; cząstka SiC; struktura kompozytu

EN

SiO2 layer; SiC particle; composite structure

• Wydawca: Komisja Odlewnictwa Polskiej Akademii Nauk Oddział w Katowicach
• Czasopismo: Krzepnięcie Metali i Stopów
• Rocznik: 2000
• Tom: R. 2, nr 42
• Strony: 181--190
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Zyska A.

• Politechnika Częstochowska, ul. Armii Krajowej 19, 42-200 Częstochowa

autor

Braszczyńska K.

• Politechnika Częstochowska, ul. Armii Krajowej 19, 42-200 Częstochowa