Jednofazowy mostkowy przekształtnik DC-AC z tranzystorami GaN GIT

• Autorzy: Wydźgowski L. , Niewiara Ł. J. , Tarczewski T. , Grzesiak L M. , Zieliński M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.03.21

Warianty tytułu

EN

Single-phase DC-AC bridge converter with GaN GIT transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W niniejszym artykule przedstawiono jednofazowy mostkowy przekształtnik napięcia z tranzystorami GaN GIT. W pracy omówiono zastosowaną topologię przekształtnika oraz przedstawiono strukturę zaprojektowanych sterowników bramkowych.. Na podstawie badań eksperymentalnych dokonano analizy sprawności układu dla wybranych częstotliwości przełączania oraz analizy częstotliwościowej wąskopasmowej oraz szerokopasmowej obejmującej badanie zawartości harmonicznych w odtwarzanym sygnale napięciowym dla częstotliwości przełączania 100 kHz, 200 kHz oraz 500 kHz.

EN

In this paper a single phase bridge voltage inverter with GaN GIT transistors is investigated. The article discusses the applied topology of the converter and presents the structure of the designed gate drivers. An analysis of the system efficiency for different switching frequencies (100 and 200 kHz) and harmonic analysis was carried out. Narrow and wideband harmonic analyzes were performed on the produced output voltage signal for switching frequencies at the level of 100,200 and 500 kHz.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor GaN GIT; przekształtnik DC/AC; analiza harmonicznych

EN

GaN GIT transistor; DC/AC inverter; harmonics analysis

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 3
• Strony: 111--115
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., fot., rys., wykr.

Twórcy

autor

Wydźgowski L.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu, Katedra Automatyki i Systemów Pomiarowych, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń

autor

Niewiara Ł. J.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu, Katedra Automatyki i Systemów Pomiarowych, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń

autor

Tarczewski T.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu, Katedra Automatyki i Systemów Pomiarowych, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń

autor

Grzesiak L M.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

autor

Zieliński M.

• Uniwersytet Mikołaja Kopernika w Toruniu, Katedra Automatyki i Systemów Pomiarowych, ul. Grudziądzka 5/7, 87-100 Toruń

Bibliografia

• [1] Rąbkowski J., Tranzystory GaN w falowniku mostkowym o wysokiej częstotliwości przełączeń (250kHz), Przegląd Elektrotechniczny, 92 (2016), nr 5, 45-48
• [2] Rąbkowski J., Barlik R., Experimental evaluation of GaN Gate Injection Transistors, Przegląd Elektrotechniczny, 91 (2015), nr 3, 9-12
• [3] Bortis D., Knecht O., Neumar D, Kolar J. W., Comprehensive evaluation of GaN GIT in low- and high-frequency bridge leg applications, Power Electronics and Motion Control Conference (IPEMC-ECCE Asia), 2016 IEEE 8th International, (2016), 1-10
• [4] Wyk J. D., Lee F. C., On a Future for Power Electronics, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 1, no. 2, (2013), 59-72
• [5] Zhao C. et al., Design and Implementation of a GaNBased, 100-kHz, 102-W/in3 Single-Phase Inverter, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 4, no. 3, (2016), 824-840
• [6] Mitova R., Ghosh R., Mhaskar U., Klikic D., Wang M. X., Dantella A., IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 29, no. 5, (2014), 2441-2452
• [7] Gurpinar E., Yang Y., Iannuzzo F., Castellazzi A., Blaabjerg F., Reliability-Driven Assessment of GaN HEMTs and Si IGBTs in 3L-ANPC PV Inverters, IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics, vol. 4, no.3, (2016) 956- 969
• [8] Gurpinar E, Castellazzi A., Single-Phase T-Type Inverter PerformanceBenchmark Using Si IGBTs, SiC MOSFETs,and GaN HEMTs, IEEE Transactions on Power Electronics, vol. 31, no.10, (2016), 7148-7160,
• [9] Wydźgowski L., Niewiara L. J., Tarczewski T, Grzesiak L. M., DC-DC Power Converter with Gallium Nitride Gate Injection Transistors, Procedings of 19th European Conference on Power Electronics and Applications (EPE’17 ECCE), (2017), 1-8

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).