Wpływ rozmieszczenia emiterów na ujednorodnienie temperatury w matrycy zbudowanej na bazie szerokoprzerwowych materiałów azotkowych

• Autorzy: Kuc M. , Brozi A. , Sarzała R. P.

Warianty tytułu

EN

An impact of emitters distribution on heat distribution in wide-bandgap III-Nitride array

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki trójwymiarowego modelowania cieplnego matryc zbudowanych na bazie krawędziowego emitera azotkowego. Obliczenia objęły wpływ liczby i szerokości emiterów (3-30 μm), ich ustawienia w matrycach (z i bez diamentowej nakładki w układzie montażowym) na maksymalny przyrost temperatury w przyrządach oraz wielkość efektu wzajemnego nagrzewania się sąsiadujących emiterów.

EN

This paper presents results of our three-dimensional thermal simulation of emitter arrays based on III-Nitride edge-emitting optoelectronic device. An impact of emitter number and width (33-30 μm), emitters location in arrays (with and without diamond heat spreaser) on a maximum temperature rise and thermal crosstalk have been taken into our calculations.

Słowa kluczowe

PL

matryce emiterów azotkowych; modelowanie trójwymiarowe; analiza rozpływu ciepła; efekt thermal crosstalk; rozkład emiterów w matrycy; nakładka diamentowa

EN

III-Nitride emitter array; three-dimensional simulation; heat distribution analysis; thermal crosstalk; emitters location in array; diamond heat spreader

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 26--29
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Kuc M.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki, Łódź

autor

Brozi A.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki, Łódź

autor

Sarzała R. P.

• Politechnika Łódzka, Wydział FTIMS, Instytut Fizyki, Łódź

Bibliografia

• [1] M. T. Hardy, D. F. Feezell, S. P. DenBaars, S. Nakamura: Group III-nitride lasers: a materials perspective. Mater. Today, vol. 9, pp. 408-415, 2011.
• [2] N. Suzuki, K. Morimoto: 10 W CW blue-violet diode laser array on the micro-channel cooler. Proc. SPIE, vol. 8241, p. 82410J, 2012.
• [3] K. Holc, A. Sarzyńska, M. Boćkowski, R. Czernecki, M. Leszczyński, T. Suski, R. Kucharski, P. Perlin: InGaN mini-laser diode arrays with cw output power of 500 mW. Physica Status Solidi C, vol. 8, pp. 2348-2350, 2011.
• [4] K. Samonji, S. Yoshida, H. Hagino, K. Yamanaka, S. Takigawa: High-power operation of a wide-striped InGaN laser diode array. Proc. SPIE, vol. 8277, p. 82771K, 2012.
• [5] K. Jawulski, M. Kuc, R. P. Sarzała: Simplified thermal analysis of impact of diamond heat spreader on InGaN laser diode arrays. Proc. SPIE 8702, p. 87020D, 2012.
• [6] M. Kuc, R. P. Sarzała: Thermal model of nitride edge-emitting laser diodes. Optica Applicata, vol. 34, pp. 663-672, 2009.
• [7] P. Perlin, K. Holc, M. Sarzyński, W. Scheibenzuber, Ł. Marona, R. Czernecki, M. Leszczyński, M. Boćkowski, I. Grzegory, S. Porowski, G. Cywiński, P. Firek, J. Szmidt, U. Schwarz, T. Suski: Application of a composite plasmonic substrate for the suppression of an electromagnetic mode leakage in InGaN laser diodes. Appl. Phys. Lett., vol. 95, p. 261108, 2009.
• [8] P. Perlin, T. Czyszanowski, L. Marona, S. Grzanka, A. Kafar, S. Stańczyk, T. Suski, M. Leszczyński, M. Boćkowski, G. Muzioł, M. Kuc, R. Sarzała: Highly doped GaN: a material for plasmonic claddings for blue/green InGaN laser diodes. Proc. SPIE, vol. 8262, p. 826216, 2012.