Modelowanie krzemowo-szklanej struktury czujnika MEMS do wykrywania dawki promieniowania wysokoenergetycznego

• Autorzy: Augustyniak I. , Knapkiewicz P. , Dziuban J.

Warianty tytułu

EN

Modeling and tests of silicon-glass structure of dose high-energy radiation MEMS sensor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono koncepcję miniaturowego, pasywnego, krzemowo-szklanego czujnika wysokich dawek promieniowania wysokoenergetycznego. Cechą szczególną zaproponowanej konstrukcji czujnika pasywnego jest połączenie możliwości pomiaru wysokich dawek promieniowania wysokoenergetycznego z zaletami bezpośredniego odczytu, dotychczas możliwego tylko w dozymetrach elektronicznych. Założono, że czujnik powinien mierzyć dawki promieniowania ≥ 10 kGy. Przedstawiono założenia konstrukcyjne czujnika, wyniki obliczeń oraz modelowania numerycznego.

EN

In this paper the concept of a miniature, passive, silicon-glass sensor of high dose energy radiation is presented. A special attribute of proposed construction is a combination of passive measurement capabilities of high-energy radiation with the advantages of real time monitoring till now possible only in active, electronic dosimeters. Presented sensor should measure the radiation dose ≥ 10 kGy. The paper presents the project of construction of sensor, the results of calculation and numerical modeling.

Słowa kluczowe

PL

czujnik MEMS; promieniowanie wysokoenergetyczne; modelowanie membrany krzemowej; pomiar dozy promieniowania

EN

MEMS sensor; high energy radiation; modeling of silicon membrane; measurement of radiation dose

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2012
• Tom: R. 88, nr 11b
• Strony: 272--274
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Augustyniak I.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Zakład Mikroinżynierii i Fotowoltaiki

autor

Knapkiewicz P.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Zakład Mikroinżynierii i Fotowoltaiki

autor

Dziuban J.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Zakład Mikroinżynierii i Fotowoltaiki

Bibliografia

• [1] Brabcová K., Jadrnícková I., Molokanov A. G., et al., Dosimetry in heavy ion beams using various detectors, Radiation Measurements, 45 (2010), 1384-1386
• [2] Gordhanbhai N. Patel, A Self Indicating Multi-Sensor Radiation Dosimeter, Patent Application Publication US2009/0224176 A1, September (2009)
• [3] Ministerstwo Gospodarki, Prognoza zapotrzebowania na paliwa i energię do 2030 roku, Warszawa, 10 listopada (2009)
• [4] Van de Voorde M.H., Dosimeters used for measuring large radiation doses around high-energy accelerators, CERN European organization for nuclear research, Geneva (1969)
• [5] Kinderman E.M., Radding S.B., Nuclear radiation effects on structural plastics and adhesives, Astia document, June 1957
• [6] Ravotti F., Glaser M., Rosenfeld A. B., et al., Radiation Monitoring in Mixed Environments at CERN: From the IRRAD6 Facility to the LHC Experiments, IEEE Transactions on nuclear science, 54 (2007), nr 4, 1170-1177
• [7] Lawton E. J., Zemany P. D, Balwit J. S., Gases liberated during the high voltage electron irradiation of polyethylene, NOTES, (1954), 3437-3439
• [8] Gartner E., Fruhauf J., Jansch E., Plasttic reshaping of silicon microstructures: process, characterization and application, Microsystem Technologies, 7 (2001), 155-160