Wpływ struktury na właściwości elektryczne i optyczne cienkich warstw na bazie tlenków Ti i Hf

• Autorzy: Obstarczyk Agata , Kaczmarek Danuta , Mazur Michał , Domaradzki Jarosław , Wojcieszak Damian

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2019.09.22

Warianty tytułu

EN

Impact of the thin films structure on electrical and optical properties of thin films based on a mixture of Hf and Ti oxides

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Celem niniejszej pracy było wytworzenie nanokrystalicznych oraz amorficznych cienkich warstw na bazie mieszaniny tlenków Ti i Hf metodą rozpylania magnetronowego. W ramach pracy przeprowadzono również szczegółową analizę wpływu struktury wybranych warstw na ich właściwości elektryczne takie jak gęstość prądu upływu oraz względna przenikalność elektryczna, a także właściwości optyczne w tym współczynnik ekstynkcji światła.

EN

The aim of this work was to prepare nanocrystalline and amorphous thin films based on a mixture of Hf and Ti oxides by magnetron sputtering. As a part of work, the detailed analysis of the impact of the thin films structure on their electrical properties such as leakage current density and dielectric constant and optical properties like extinction coefficient was carried out.

Słowa kluczowe

PL

cienka warstwa; rozpylanie magnetronowe; struktura nanokrystaliczna; faza amorficzna

EN

thin film; magnetron sputterin; nanocrystalline structure; amorphous phase

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2019
• Tom: R. 95, nr 9
• Strony: 111--114
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys.

Twórcy

autor

Obstarczyk Agata

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Kaczmarek Danuta

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Mazur Michał

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Domaradzki Jarosław

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

autor

Wojcieszak Damian

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] Zhang J.W., He G., Chen H.S., Gao J., Chen X.F., Jin P., Xiao D.Q., Ma R., Liu M., Sun Z.Q., Modulation of charge trapping and current-conduction mechanism of TiO2-doped HfO2 gate dielectrics based MOS capacitors by annealing temperature, J. Alloy. Compd., 647 (2015) 1054-1060
• [2] Zhang J.W., He G., Zho L., Chen H.S., Chen X.S., Chen X.F., Deng B., Lv J.G., Sun Z.Q., Microstructure optimization and optical and interfacial properties modulation of sputteringderived HfO2 thin films by TiO2 incorporatio”, J. Alloy. Compd., 611 (2014) 253-259
• [3] Jiang S.S., He G., Gao J., Xiao D.Q., Jin P., Li W.D., Lv J.G., Liu M., Liu Y.M., Sun Z.Q., Microstructure, optical and electrical properties of sputtered HfTiO high-k gate dielectric thin films, Ceram. Int., 42 (2016) 11640-11649
• [4] Jin P., He G., Liu M., Xiao D.Q., Gao J., Chen X.F., Ma R., Zhang J.W., Zhang M., Sun Z.Q., Liu Y.M., Deposition power modulated optical and electrical properties of sputtering-derived HfTiOx gate dielectrics, J. Alloy. Compd., 649 (2015) 128-134
• [5] Pokhriyal S., Biswas S., Doping dependent high-frequency dielectric properties of Hf1-xTixO2, Nanopart. Mater. Today: Proceed., 3 (2013) 1311-1319
• [6] Gao J., He G., Zhang J.W., Deng B., Liu Y.M., Annealing temperature modulated interfacial chemistry and electrical characteristics of sputtering-derived HfO2/Si gate stack, J. Alloy. Compd., 647 (2016) 322-330
• [7] Wilk G.D., Wallace R.M., Anthony J.M., High-k gate dielectrics: current status and materials properties considerations, J. Appl. Phys., 89 (2001) 1-33
• [8] Gan F., Structure and properties of amorphous thin film for optical data storage”, J. Non-Crystalline Solids, 354 (2008) 1089-1099
• [9] Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM, Philadelphia, PA, PDF Card 34-0104
• [10] Powder Diffraction File, Joint Committee on Powder Diffraction Standards, ASTM, Philadelphia, PA, PDF Card 21-1272
• [11] Lanza M., A review on resistive switching in high-k dielectrics: a nanoscale point of view using conductive atomic force microscope, Materials, 7 (2014) 2155-2182

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).