Wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT

• Autorzy: Górecki P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.09.11

Warianty tytułu

EN

Influence of thermal phenomena on the selected parameters of the IGBT

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The paper concerns the study on an influence of thermal phenomena on selected parameters of the IGBT. In the paper, the used measurement set-up and the measured waveforms of waveforms of the investigated transistor obtained under different operating conditions are presented. Particulary, the influence of the ambient temperature and the self-heating phenomenon on the shape of these waveforms is discussed.

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań eksperymentalnych ilustrujących wpływ zjawisk cieplnych na parametry dynamiczne tranzystora IGBT. Zaprezentowano zastosowany układ pomiarowy oraz przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk i parametrów dynamicznych wybranego tranzystora IGBT typu STGF14NC60KD wyprodukowanego przez firmę ST Microelectronics pracującego w różnych warunkach. Przeanalizowano wpływ temperatury otoczenia oraz zjawiska samonagrzewania na przebieg charakterystyk dynamicznych tego tranzystora.

Słowa kluczowe

EN

IGBT; self-heating; waveforms; dynamic parameters; switching; measurements

PL

IGBT; samonagrzewanie; charakterystyka dynamiczna; parametry dynamiczne; przełączanie; pomiary

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 9
• Strony: 44--47
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Górecki P.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 83, 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Ericson R., Maksimovic D.: Fundamentals of Power Electronics, Norwell, Kluwer Academic Publisher, (2001)
• [2] Rashid M.H.: Power Electronic Handbook, Academic Press, Elsevier, (2007)
• [3] Kazimierczuk M.K.: Pulse-width Modulated DC-DC Power Converters, John Wiley &Sons, Ltd, (2008)
• [4] Baliga B. J.: Analytical Modeling of IGBTs: Challenges and Solutions, IEEE Transactions on Electron Devices,Vol. 60, No. 2., (2013), 535-543
• [5] Napieralski A., Napieralska M.: Polowe półprzewodnikowe przyrządy dużej mocy, Wydaw. Naukowo-Techniczne, Warszawa, (1995)
• [6] Zarębski J., Górecki K.: The electrothermal large-signal model of power MOS transistors for SPICE, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 25 , No. 5-6, (2010), 1265 – 1274
• [7] Górecki P., Górecki K.: Influence of Thermal Phenomena on dc Characteristics of the IGBT, International Journal of Electronics and Telecomunnications, Vol. 64, No.1, (2018), 71-76
• [8] [A. Castellazzi, Y.C. Gerstenmaier, R. Kraus and G.K.M. Wachutka, Reliability analysis and modeling of power MOSFETs in the 42-V-PowerNet, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 21, (2006), No. 3, 603-612
• [9] Górecki K., Górecki P.: The Analysis of Accuracy of Selected Methods of Measuring the Thermal Resistance of IGBTs, Metrology and Measurement Systems, Vol. 22, No. 3, (2015), 455-464
• [10] MCP1405 4.5A Dual High-Speed Power MOSFET Drivers, Datasheet, Microchip, (2007)
• [11] STGF14NC60KD Insulated Gate Bipolar Transistor With Ultrafast Soft Recovery Diode, Datasheet, ST Microelectronics, (2017)

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).