Analiza wpływu nieliniowości modelu termicznego tranzystora MOS mocy na charakterystyki przetwornicy boost

• Autorzy: Zarębski J , Górecka K. , Górecki K.

Warianty tytułu

EN

Analisys of the influence of nonlinearity of the thermal model of power mosfet on characteristics of boost converter

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering 2014 (28-29.04.2014; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przeanalizowano zasadność stosowania nieliniowego modelu termicznego tranzystora MOS mocy przy analizach charakterystyk przetwornicy boost. Przedstawiono postać rozważanego modelu termicznego oraz wyniki elektrotermicznej analizy stanów przejściowych badanego układu, uzyskane przy uwzględnieniu nieliniowości modelu termicznego oraz przy pominięciu tej nieliniowości. Badania przeprowadzono dla przetwornic zawierających dwa różne zestawy półprzewodnikowych elementów kluczujących.

EN

In the paper the necessity of using the non-linear thermal model of the power MOS transistor at computer analyses of the boost converter is considered. The form of considered thermal model are presented and results of the electrothermal transient analysis of considered converter, obtained at the nonlinearity of the thermal model taking into account and at the omission of this nonlinearity are shown. Investigations were performed for converters containing two different sets of switching semiconductor devices.

Słowa kluczowe

PL

modele termiczne; przetwornica boost; SPICE; analiza elektrotermiczna

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2014
• Tom: No. 80
• Strony: 9--17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 14 poz., rys.

Twórcy

autor

Zarębski J

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Górecka K.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Górecki K.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Ericson R., Maksimovic D., Fundamentals of Power Electronics, Norwell, Kluwer Academic Publisher, 2001.
• [2] Rashid M.H., Power Electronic Handbook. Academic Press, Elsevier, 2007.
• [3] Basso C., Switch-Mode Power Supply SPICE Cookbook, McGraw-Hill, New York 2001.
• [4] Górecki K., Zarębski J.: Modeling Nonisothermal Characteristics of Switch-Mode Voltage Regulators. IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 23, No. 4, 2008, pp. 1848-1858.
• [5] Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
• [6] Mawby P.A., Igic P.M., Towers M.S., Physically based compact device models for circuit modelling applications, Microelectronics Journal, Vol. 32, 2001, s. 433-447.
• [7] Górecki K., Zarębski J.: Drogi przepływu ciepła wydzielanego w elementach półprzewodnikowych do otoczenia. Elektronika, Nr 12, 2012, s. 13-15.
• [8] Szekely V., A New Evaluation Method of Thermal Transient Measurement Results, Microelectronic Journal, Vol. 28, No. 3, 1997, s. 277-292.
• [9] Bagnoli P.E., Casarosa C., Ciampi M., Dallago E., Thermal resistance analysis by induced transient (TRAIT) method for power electronic devices thermal characterization, IEEE Transactions on Power Electronics, I. Fundamentals and Thery, Vol. 13, No. 6, 1998; s. 1208-19.
• [10] Górecki K., Zarębski J.: Nonlinear compact thermal model of power semiconductor devices. IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, Vol. 33, No. 3, 2010, pp. 643-647.
• [11] Zarębski J., Modelowanie, symulacja i pomiary przebiegów elektrotermicznych w elementach półprzewodnikowych i układach elektronicznych, Prace Naukowe Wyższej Szkoły Morskiej w Gdyni, Gdynia 1996.
• [12] Górecki K., Zarębski J.: Modeling the influence of selected factors on thermal resistance of semiconductor devices. IEEE Transactions on Components, Packaging and Manufacturing Technology (w druku).
• [13] Górecki K., Zarębski J., Jóźwik A.: Wpływ wybranych czynników na charakterystyki przetwornicy BOOST. VIII Krajowa Konferencja Naukowa Sterowanie w Energoelektronice i Napędzie Elektrycznym SENE 2007, Łódź, 2007, t. 1, ss. 151-156.
• [14] Zarębski J., Tranzystory MOS mocy, Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.