Memristive devices In three-phase systems

• Autorzy: Zegarmistrz Piotr , Garda Bartłomiej

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2020.01.03

Warianty tytułu

PL

Elementy memrystorowe w układach trójfazowych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The aim of the research presented in a paper was to provide trustworthy simulation results for symmetrical three-phase systems with memristive load. The memristors in the system are combined with linear resistors in order to limit the current in the element. Linear drift model of the memristorwasconsideredinMatlabsimulations. ItisbasedonStrukovmodelwithBiolekwindow. Highnonlinearityofmemristorresultsindeformation of most of the signals in the system. Since the voltage of the neutral point is highly non-sinusoidal it affects on other signals like phase voltage, phase currents, delta voltages. A Fast Fourier Transform (FFT) is applied to chosen signals in order to provide a frequency spectrum. On this basis a Total Harmonic Distortion (THD) parameter was calculated.

PL

W pracy zaprezentowano wyniki badań symulacyjnych nad układem trójfazowym symetrycznym z obciążeniem elementami memrystorowymi. Memrystory w obwodzie odbiornika są połączone szeregowo z rezystorami liniowymi w celu ograniczenia prądu. W obliczeniach symulacyjnych przyjęto model memrystora "linear drift", bazujący na modelu Strukova z oknem Biolka. Wysoka nieliniowość elementów memrystorowych skutkuje odkształceniem większości sygnałów w obwodzie. Skoro napięcie punktu neutralnego odbiornika wykazuje wysoką nieliniowość, to skutkuje to odkształceniem pozostałych sygnałów, t.j. napięć fazowych, prądów fazowych czy napięć przewodowych. Do wybranych sygnałów zastosowano Szybką Transformatę Fouriera (FTT) w celu zaprezentowania widma częstotliwościowego. Na tej podstawie obliczono Współczynnik Zawartości Harmonicznych.

Słowa kluczowe

EN

memristor; memristive device; memristive element; three-phase system; nonlinear system

PL

memrystor; element memrystorowy; układ trójfazowy; obwód nieliniowy

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2020
• Tom: R. 96, nr 1
• Strony: 11--14
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Zegarmistrz Piotr

• Department of Electrical and Power Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Biomedical Engineering AGH University of Science and Technology, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków, Poland

autor

Garda Bartłomiej

• Department of Electrical and Power Engineering, Faculty of Electrical Engineering, Automatics, Computer Science and Biomedical Engineering AGH University of Science and Technology, al. Mickiewicza 30, 30-059 Kraków, Poland

Bibliografia

• [1] Chua L. O.: Memristor. The missing circuit element, IEEE Trans. Circ. Theory, vol. 18, no. 5, pp. 507-519, 1971.
• [2] Chua L. O.: The fourth element, Proc. IEEE, vol. 100, no. 6, pp.1920-1927, 2012.
• [3] Gandhi G., Aggarwal V., Chua L. O.: The first radios were made using memristors!, IEEE Circuits and Systems, vol. 13, no. 2, pp. 8-16, 2013.
• [4] Strukov D., Snider G., Steward D., Williams R.,: The missing memristor found, Nature, vol. 453, no. 7191, pp. 80-83, 2008.
• [5] Sacchetto D., Gaillardon P.-E., Zervas M., Carrara S., De Micheli G., Leblebici Y.: Applications of Multi-Terminal Memristive Devices: A Review, IEEE Circuits and Systems, vol. 13, no. 2, pp. 23-41, 2013.
• [6] Horváth I.: Simulation of a memristor-spark-gap model for lightning protection purposes, Tehnicki Vjesnik, vol. 21 (5), pp.1047-1050, 2014.
• [7] Pickett M., Strukov D., Borghetti J., Yang J., Snider G., Stewart D., Williams R.: Switching dynamics in titanium dioxide memristive devices, Journal of Applied Physics, vol. 106, 074508, 2009.
• [8] Adhikari S., Sah P., Kim, H.,Chua L.O.: Three fingerprints of memristor, IEEE Trans. on Circ. and Syst. I: Regular Papers, vol. 60, no. 11, pp.3008-3021, 2013.
• [9] Biolek Z., Biolek D., Biolkova B.: Spice model of memristor with nonlinear dopant drift, Radio Eng., vol. 18, no. 2, pp. 786-790, 2015.
• [10] Garda B., Galias Z.: Modelling sinusoidally driven selfdirected channel memristors, Proc. ICSES 2018, Cracow, Poland, pp.19-22, 2018.

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa Nr 461252 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2020).