Pomiary i obliczenia pojemności tranzystorów mocy BJT i SJT wykonanych z węglika krzemu

• Autorzy: Szelągowska J. , Zarębski J.

Identyfikatory

DOI

10.21008/j.1897-0737.2018.95.0001

Warianty tytułu

EN

Measurements and calculations of capacitances of BJT and SJT transistors made of silicon carbide

• Konferencja: Computer Applications in Electrical Engineering (23-24.04.2018 ; Poznań, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano wyniki pomiarów charakterystyk pojemności C(u) sterowanych prądowo tranzystorów BJT i SJT, które zrealizowano z wykorzystaniem programowalnego systemu mierzącego firmy Keithley. Wyniki pomiarów porównano z wynikami obliczeń przy zastosowaniu popularnego i często stosowanego modelu Gummela-Poona tranzystora bipolarnego. Dla porównania, przedstawiono również wyniki pomiarów zaprezentowane w literaturze oraz w kartach katalogowych badanych przyrządów. Ponadto, oceniono wpływ temperatury otoczenia na kształt rozważanych charakterystyk pojemności.

EN

In the paper the results of measurements of capacitances C(u) of the current controlled BJT and SJT transistors was presented, for which a programmable measuring system manufactured by Keithley was used. The results of measurements was compared with results of the calculations obtained by using the popular and commonly used Gummel-Poon model. For comparison, the results of the measurements found in the literature and in the datasheets of the considered devices was presented as well. In addition, the influence of ambient temperature on the shape of the considered characteristics was also investigated.

Słowa kluczowe

PL

BJT; modelowanie; pojemności; SJT

• Wydawca: Wydawnictwo Politechniki Poznańskiej
• Czasopismo: Poznan University of Technology Academic Journals. Electrical Engineering
• Rocznik: 2018
• Tom: No. 95
• Strony: 9--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Szelągowska J.

• Akademia Morska w Gdyni

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni

Bibliografia

• [1] Huang Y., Cheng S., Zhou W., Sheng K., Modeling of a 1200 V 6 A SiC Bipolar Junction Transistor, Energy Conversion Congress and Exposition (ECCE), Wrzesień 2013.
• [2] PSPICE A/D Reference Guide Version 15.7, MicroSim Corporation, Irvine, California 2006.
• [3] http://www.genesicsemi.com/images/hit_sic/sjt/2N7635-GA.pdf.
• [4] Patrzyk J., Modelowanie tranzystorów mocy SiC BJT w programie PSPICE, Zeszyty Naukowe Akademii Morskiej w Gdyni, Nr 95, s. 168-176, Listopad 2016.
• [5] Seyezhai R., Modeling and Simulation of Silicon Carbide (SiC) Based Bipolar Junction Transistor, International Journal of Engineering Research and Applications (IJERA), Vol. 1, Nr 4, s.1652–1657, Listopad 2011.
• [6] Bargieł K., Zarębski J. and Bisewski D., SPICE-aided modeling of high-voltage silicon carbide JFETs, 39th International Microelectronics and Packaging Poland Conference (IMAPS Poland), Book Series: IOP Conference Series-Materials Science and Engineering, Vol. 104, 2016.
• [7] Sundaresan S., Singh R., Johnson R.W., Silicon Carbide „Super” Junction Transistors operating at 500°C, IMAPS High Temperature Electronics Conference (HiTEC), 2012.
• [8] http://www.dacpol.eu/pl/elementy-polprzewodnikowe-z-weglika-krzemu/product/elementy-polprzewodnikowe-z-weglika-krzemu-1224.
• [9] http://tespol.com.pl/wp-content/uploads/2016/01/Keithley-4200-SCS-datasheet.pdf.
• [10] Rashid M.H., Power Electronics Handbook Third Edition, Oxford, 2011.

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).