Badania długoczasowe detektorów UV

• Autorzy: Ćwirko J. , Ćwirko R.

Warianty tytułu

EN

Long-term investigations of UV detectors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przy wyborze detektorów UV do konkretnej aplikacji należy uwzględnić, że ich parametry optyczne i elektryczne mogą się zmieniać w znacznym stopniu podczas eksploatacji, w wyniku zachodzenia w ich strukturze różnorodnych procesów degradacyjnych. Najczęstszymi źródłami tych procesów są długoczasowe poddawania struktury półprzewodnikowej detektora UV wpływowi silnego promieniowania termicznego lub/i optycznego.

EN

In the selection of the UV detector to a particular application should be considered that the optical and electrical parameters may vary considerably during operation due to the overlap in the composition of a variety of degradative processes. The most common sources of these processes are long-term semiconductor structures subjected UV detector strong influence of thermal radiation and / or optical.

Słowa kluczowe

PL

detektor UV; badania długotrwałe; fotodetektor

EN

UV detectors; long-term studies; photodetector

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2013
• Tom: R. 89, nr 9
• Strony: 79--82
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Ćwirko J.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki ISE

autor

Ćwirko R.

• Wojskowa Akademia Techniczna, Wydział Elektroniki ISE

Bibliografia

• [1] Shur M. S. (editor), Zakauskas A. (editor). UV Solid-State Light Emitters and Detectors. NATO Science Series. Series II, vol. 144. ISBN 1-4020-2103-8 (e-book)
• [2] Liu H-D. i in. Demonstration of Ultraviolet 6H-SiC PIN Avalanche Photodiodes. IEEE. Photonics Technology Letters, vol. 18. No. 23, December 1, 2006, pp. 2508-2510
• [3] Pikhtin A.N., Tarasov S.A., Orlova T.A., Kloth B.: Selective and broadband GaP UV photodetectors. IWRFRI’2000, St. Petersburg, May 29-31,2000; www.ioffe.ru/ RT/IWRFRI2000/b2.html
• [4] Ćwirko J, Ćwirko R. Badania temperaturowe fotodetektrów UV z węglika krzemu. Logistyka 6/2011 str. 619-626
• [5] Materiały firmy Hamamatsu Photonics: GaAsP photodiode – diffusion type. www.hamamatsu.com.