Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Characterization of multi-channel charge carrier transport for epitaxial semiconductor structures
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy zwrócono uwagę na potrzebę rozwoju technik do precyzyjnego parametryzowania wielokanałowego transportu nośników ładunku, mających fundamentalne znaczenie dla efektywnego projektowania przyrządów półprzewodnikowych. Przedstawiono aktualny stan rozwoju tych technik pomiarowych w Wojskowej Akademii Technicznej, oraz przykładowe rezultaty dla struktur półprzewodnikowych, otrzymywanych techniką epitaksji z wiązek molekularnych (MBE).
The paper highlights the need to develop techniques for the precise parameterization of multi-channel charge carrier transport, which are of fundamental importance for the effective design of semiconductor devices. The current state of development of these measurement techniques at the Military University of Technology is presented, as well as exemplary results for semiconductor structures obtained by molecular beam epitaxy (MBE).
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
228--230
Opis fizyczny
Bibliogr. 18 poz., rys.
Twórcy
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Gen. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Gen. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Gen. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46
autor
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, ul. Gen. S. Kaliskiego 2, 00-908 Warszawa 46
- Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa
Bibliografia
- [1] S. Samira, H. Md Sakib, H. Omiya, P. Partha Sarathi, H. Md Razuan, K.I. Syed, Semiconductor Device Modeling and Simulation for Electronic Circuit Design, (2020).
- [2] Ansys_Lumerical, Semiconductor Material Model Properties, in, https://support.lumerical.com/hc/en-us/articles/360034919113-Semiconductor-Material-Model-Properties, 2021.
- [3] Y.D. Sun, Y.G. Zhou, J. Han, W. Liu, C.W. Nan, Y.H. Lin, M. Hu, B. Xu, Strong phonon localization in PbTe with dislocations andlarge deviation to Matthiessen's rule, Npj Comput Mater, 5 (2019).
- [4] M. Znidaric, Modified Matthiessen's rule: More scattering leads to less resistance, Phys Rev B, 105 (2022).
- [5] L.Ö. Olsson, C.B.M. Andersson, M.C. Håkansson, J. Kanski, L. Ilver, U.O. Karlsson, Charge Accumulation at InAs Surfaces, Phys Rev Lett, 76 (1996) 3626-3629.
- [6] H.H. Wieder, Transport coefficients of InAs epilayers, Appl Phys Lett, 25 (1974) 206-208.
- [7] E. Finkman, Y. Nemirovsky, Two-electron conduction in n-type Hg1-xCdxTe, Journal of Applied Physics, 53 (1981).
- [8] M.C. Gold, D.A. Nelson, Variable magnetic field Hall effectmeasurements and analyses of high purity, Hg vacancy (ptype) HgCdTe, Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 4 (1986) 2040-2046.
- [9] J.S. Kim, D.G. Seiler, W.F. Tseng, Multicarrier characterization method for extracting mobilities and carrier densities of semiconductors from variable magnetic field measurements, Journal of Applied Physics, 73 (1993) 8324-8335.
- [10] W.A. Beck, J.R. Anderson, Determination of electrical transport properties using a novel magnetic field-dependent Hall technique, Journal of Applied Physics, 62 (1987) 541-554.
- [11] Z. Dziuba, M. Gorska, Analysis of the Electrical-Conduction Using an Iterative Method, J Phys Iii, 2 (1992) 99-110.
- [12] J. Antoszewski, L. Faraone, Mobility spectrum analysis of magnetic field dependent Hall data in HgCdTe epitaxial films, PSoc Photo-Opt Ins, 2552 (1995) 146-157.
- [13] D. Benyahia, Ł. Kubiszyn, K. Michalczewski, A. Kębłowski, P. Martyniuk, J. Piotrowski, A. Rogalski, Molecular beam epitaxialgrowth and characterization of InAs layers on GaAs (001) substrate, Opt Quant Electron, 48 (2016) 428.
- [14] L.J. van der Pauw, A Method of Measuring Specific Resistivity and Hall Effect of Discs of Arbitrary Shape, Philips Research Reports, 13 (1958) 1-9.
- [15] Cryogenic_Ltd, Cryogen-Free Magnet System User Manual, in,London, 2014.
- [16] J. Antoszewski, G.A. Umana-Membreno, L. Faraone, High-Resolution Mobility Spectrum Analysis of Multicarrier Transportin Advanced Infrared Materials, Journal of Electronic Materials, 41 (2012) 2816-2823.
- [17] J. Antoszewski, L. Faraone, Quantitative mobility spectrumanalysis (QMSA) in multi-laver semiconductor structures, Opto-Electron Rev, 12 (2004) 347-352.
- [18] S. Kiatgamolchai, M. Myronov, O.A. Mironov, V.G. Kantser, E.H.C. Parker, T.E. Whall, Mobility spectrum computational analysis using a maximum entropy approach, Phys Rev E, 66 (2002).
Uwagi
Opracowanie rekordu ze środków MEiN, umowa nr SONP/SP/546092/2022 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2022-2023).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-c92ee67f-093e-4c28-81ae-6b356549cd86