Stabilność wysokotemperaturowa ekologicznych rezystorów grubowarstwowych

• Autorzy: Kiełbasiński K. , Szałapak J. , Krzemiński J. , Młożniak A. , Jakubowska M. , Szostak S.

Warianty tytułu

EN

High temperature stability of eco-friendly thick-film resistors

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

W związku z Dyrektywą RoHS, która weszła w życie w 2006 roku producenci materiałów elektronicznych zostali zmuszeni do wyeliminowania m.in. ołowiu i jego związków ze składów tych materiałów. Dyrektywa wymusiła zmianę składu past służących do wytwarzania rezystorów grubowarstwowych szeroko rozpowszechnionych w konsumenckim sprzęcie elektronicznym. Autorzy zaproponowali nowatorskie pasty rezystywne zdolne w pełni zastąpić pasty oparte o ołów i jego związki. Ponadto zostały przeprowadzone badania odporności na narażenia termiczno-prądowe, które ujawniły przewagę użytkową w aspektach stabilności rezystancji na cykliczne narażenia temperaturowe nowych past wobec past tradycyjnych.

EN

Under the EU directive on the Restriction of Hazardous Substances (RoHS) implemented in 2006, producers of electronics materials were obliged to eliminate lead and its compounds from the compsition of their products. As a consequence of this directive the changes affected the compositions of pastes used in the production of thick-film resistors, widely used in mass electronics. The authors have developed new compositions for the resistive thick film pastes, to replace the ones based on lead. Moreover, the thermal and electrical studies showed the advantage of the new ompositions over the traditional ones in terms of resistance stability under temperature cyclic test.

Słowa kluczowe

PL

rezystory bezołowiowe; stabilność wysokotemperaturowa

EN

lead-free resistors; high temperature stability

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2016
• Tom: T. 44, nr 2
• Strony: 17--26
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Kiełbasiński K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Szałapak J.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
• Wydział Mechatroniki, Politechnika Warszawska ul. św. Andrzeja Boboli 8, 02 - 525 Warszawa

autor

Krzemiński J.

• Wydział Mechatroniki, Politechnika Warszawska ul. św. Andrzeja Boboli 8, 02 - 525 Warszawa

autor

Młożniak A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Jakubowska M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa
• Wydział Mechatroniki, Politechnika Warszawska ul. św. Andrzeja Boboli 8, 02 - 525 Warszawa

autor

Szostak S.

• Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki, Politechnika Warszawska Koszykowa 75, 00 - 662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Rane S., Prudenziati M., Mortena B.: Environment friendly perovskite ruthenate based thick film resistors, Materials Letters, 2007, 61, 2, 595 - 99
• [2] Cheng Y., Xiao H., Guo W., Guo W.: Structure and crystallization kinetics of PbO–B2O3 glasses, Ceramics International, 2007, 33, 7, 1341 - 47
• [3] Morten B., Masoero A., Prudenziati M., Manfredini T.: Evolution of ruthenate-based thick film cermet resistors: J. Phys. D: Appl. Phys., 1994, 27, 10, 2227 - 35
• [4] Pike G. E., Seager C. H.: Electrical properties and conduction mechanism of Ru-based thick-film (cermet) resistors, J. AppL Phys., 1977, 48, 5152 - 69
• [5] Kuiel R., Broukal J., Kindl D.: X-Ray and microscopic investigations of resistors containing CdO and RuO2, IEEE Transacilons on Components, Hybrids and Manufacturing Technology”, 1981, 4, 3, 245 - 49
• [6] Beyerlein R. A., Horowitz H. S., Longo J. M.: The electrical properties of A2[Ru2−xAx]O7−y (A = Pb or Bi) pyrochlores as a function of composition and temperature, Journal of Solid State Chemistry, 1988, 72, 1, 2 - 13
• [7] Młożniak A., Jakubowska M., Kiełbasiński K., Zwierkowska E.: Nowa generacja past rezystywnych nie zawierających ołowiu i kadmu spełniających dyrektywę RoHS, Materiały Elektroniczne, 2006, 34 , 3, 5 - 18
• [8] Kiełbasiński K., Młożniak A., Jakubowska M.: Environmental friendly thick film resistors with wide resistance range, Materiały Elektroniczne, 2008, 36, 4, 39 - 46
• [9] Pflieger R., Lefebvre L., Malki M., Allix M., Grandjean A.: Behaviour of ruthenium dioxide particles in borosilicate glasses and melts, Journal of Nuclear Materials, 2009, 389 , 450 - 457
• [10] Kiełbasiński K., Zwierkowska E., Achmatowicz S., Młożniak A., Jakubowska M.: Badanie właściwości szkliw pod kątem zastosowań w grubowarstwowych mikrorezystorach fotoformowalnych, Materiały Elektroniczne, 2013, 41, 1, pp. 10 - 16

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę (zadania 2017).