Struktura półprzewodnikowa Side Wall Gate – następca technologii Trench

• Autorzy: Sobieski R. , White C.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Nowa struktura krzemowa tranzystorów, nazwana Side Wall Gate, charakteryzuje się doskonałymi parametrami przekraczającymi barierę wyznaczaną dotychczas przez strukturę typu Trench. Stanowi ona wypełnienie luki pomiędzy standardowymi półprzewodnikami krzemowymi a technologiami o podwyższonym paśmie zabronionym.

Słowa kluczowe

PL

struktura półprzewodnikowa; przekształtnik; węglik krzemu

EN

semiconductor structure; converter; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo "Druk-Art" SC
• Czasopismo: Napędy i Sterowanie
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 20, nr 3
• Strony: 50--53
• Opis fizyczny: rys., wykr.

Twórcy

autor

Sobieski R.

• Markel Sp. z o.o., Piaseczno

autor

White C.

• Hitachi Europe Limited, Whitebrook Park, Maidenhead, UK

Uwagi

PL

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018)