Charakterystyki i parametry tranzystora SiC BJT

• Autorzy: Patrzyk Joanna , Zarębski Janusz , Bisewski Damian

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2024.10.62

Warianty tytułu

EN

Characteristics and parameters of SiC BJT transistor

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk statycznych oraz wybranych na ich podstawie wartości podstawowych parametrów roboczych tranzystora bipolarnego wykonanego w technologii węglika krzemu. Przedyskutowano przebiegi tych charakterystyk oraz przeprowadzono ich symulacje za pomocą programu SPICE. W symulacjach wykorzystano zarówno wartości parametrów wbudowanego w programie SPICE modelu tranzystora bipolarnego, zaczerpnięte ze strony producenta, jak i autorskie wartości parametrów otrzymane z wykorzystaniem procedury estymacji.

EN

The paper presents the results of measurements of static characteristics and the values of the basic operating parameters of a BJT transistor made of silicon carbide. The shape of these characteristics was discussed and their simulations were performed using the bipolar transistor model built in the SPICE program. The program used in the simulations both parameter values taken from the manufacturer's website, and the parameter values obtained using the estimation procedure, respectively.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor bipolarny; węglik krzemu; SPICE; modelowanie

EN

BJT; silicon carbide; SPICE; modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2024
• Tom: R. 100, nr 10
• Strony: 289--293
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Patrzyk Joanna

• Gdynia Maritime University, Department of Marine Electronics, 83 Morska Str., 81-225 Gdynia

autor

Zarębski Janusz

• Gdynia Maritime University, Department of Marine Electronics, 83 Morska Str., 81-225 Gdynia

autor

Bisewski Damian

• Gdynia Maritime University, Department of Marine Electronics, 83 Morska Str., 81-225 Gdynia

Bibliografia

• [1] Huang Y., Cheng S., Zhou W., Sheng K., “Modeling of a 1200 V 6 A SiC Bipolar Junction Transistor”, IEEE Energy Conversion Congress and Exposition, Denver, CO, USA, 2013
• [2] Zarębski J., Górecki K. and Dąbrowski J.,“Modeling of SiC MPS Diodes”, INTERNATIONAL CONFERENCE ON MICROELECTRONICS , pp.192-195, 2008
• [3] https://genesicsemi.com/pl/
• [4] Bisewski D., „Zastosowanie algorytmu genetycznego w procesie estymacji parametrów modeli przyrządów półprzewodnikowych”, Przegląd Elektrotechniczny, r. 98, nr 9/2022
• [5] Zhang Q., Zhang Y., Zhang Y., Wang Y., “Modeling of Current Gain versus Recombination in Double Base Epilayer 4H-SiC BJTs”, 2010 IEEE International Conference of Electron Devices and Solid-State Circuits (EDSSC), China, 2010
• [6] PSPICE A/D Reference Guide Version 15.7, Cadence Design Systems, Inc., April 2006
• [7] Dong P., Yan X., Zhang L., Jin S., Dai F., Zhang Y., Cui Y., Yu X., Huang B., “Relating Gain Degradation to Defects Production in Neutron-Irradiated 4H-SiC Transistors”, IEEE Transactions on Nuclear Science, Vol. 68, No. 3, pages 312 – 317, 2021
• [8] Sadik D.P., Colmenares J., Lim J., Bakowski M., Nee H.P., “Comparison of Thermal Stress During Short-Circuit in Different Types of 1.2-kV SiC Transistors Based on Experiments and Simulations”, IEEE Transactions on Industrial Electronics, Vol. 68, No. 3, pages 2608-2616, 2021
• [9] Górecki K., Detka K., “SPICE-Aided Models of Magnetic Elements—A Critical Review”, Energies, Vol. 16, No. 18, 2023

Uwagi

Opracowanie rekordu ze środków MNiSW, umowa nr POPUL/SP/0154/2024/02 w ramach programu "Społeczna odpowiedzialność nauki II" - moduł: Popularyzacja nauki i promocja sportu (2025).