60-lecie pracy na rzecz rozwoju elektroniki półprzewodnikowej w Polsce : wspomnienia

Klamka, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

60-lecie pracy na rzecz rozwoju elektroniki półprzewodnikowej w Polsce : wspomnienia

Autorzy

Klamka J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

60-years of activities on development of the semiconductor electronics in Poland : memories

Języki publikacji

Abstrakty

W artykule przedstawiono historię pierwszych polskich urządzeń półprzewodnikowych opracowanych i wytwarzanych przez Autora i jego współpracowników.

In this paper the history of first Polish semiconductor devices is presented.

Słowa kluczowe

przyrządy półprzewodnikowe przyrządy mikrofalowe mikrofalowa elektronika półprzewodnikowa

semiconductor devices microwaves devices microwave semiconductor electronics

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2014

Tom

Vol. 55, nr 1

Strony

44--50

Opis fizyczny

Bibliogr. 61 poz., rys.

Twórcy

autor

Klamka J.

Bibliografia

[1] Majewski Z, Brochocki A., Klamka J.: Wpływ oczyszczania strefowego germanu na napięcie wsteczne układu stykowego german-wolfram. Arch. Elektrot., vol. 4, nr 2, ss. 394-396, 1955.
[2] Brochocki A., Klamka J., Majewski Z.: Otrzymywanie złączy warstwowych german-ind o właściwościach prostowniczych. Arch. Elektrot. vol. 4., nr 2, ss. 396-397, 1955.
[3] Klamka J.: Technologia złącz p-n. Elektronika, vol. 3, nr 10-11, ss. 9-19, 1957.
[4] Klamka J.: Germanowe diody mocy. Zeszyty Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektryka nr 15, ss. 57-77, 1957.
[5] Klamka J.: Konstrukcje oraz właściwości elektryczne germanowych diod warstwowych. Elektronika, vol. 4, s. 74-61, 1958.
[6] Klamka J.: Germanowe diody warstwowe. Przegląd Telekomunikacyjny, vol. 3, ss. 79-81, 1958.
[7] Klamka J.: Diody germanowe wielkiej mocy. Arch. Elektrot., vol 8, nr 2, ss. 351-352, 1959.
[8] Klamka J.: Diody germanowe dużej mocy i ich zastosowanie. Przegl. Elektrot., vol. 36, nr 2, ss. 65-68, 1960.
[9] Klamka J.: Pierwsze diody złączowe w Polsce. Wspomnienia z lat pięćdziesiątych. Prace ITE, z. 8, ss. 3-15, 1992.
[10] Klamka J.: Fotodiody germanowe. Przegl. Telekom., vol. 6, nr 32, ss. 180-181, 1958.
[11] Januszewski S., Klamka J.: Pierwsze polskie germanowe diody mocy i ich rola w rozwoju krajowych urządzeń energoelektronicznych. Elektronika, XXXII, nr 2, 1991.
[12] Klamka J.: Krzemowa dioda warstwowa Al-Si. Arch. Elektrot., t. 8, z. 2, ss. 351-352, 1959.
[13] Klamka J.: Diody krzemowe. Przegl. Elektron, vol.4, nr 4, ss. 408-413, 1960.
[14] Klamka J.: Diody krzemowe dużej mocy. Rozpr. Elektrot. t. XI, z. 4, 1965.
[15] Klamka J.: Diody germanowe i krzemowe. WNT, 1960.
[16] Klamka J.: Półprzewodnikowe diody o zmiennej pojemności. WNT Warszawa, 1963.
[17] Klamka J. Diody mikrofalowe półprzewodnikowe. WNT Warszawa 1973.
[18] Klamka J. Mikrofalowe przyrządy półprzewodnikowe. WNT Warszawa, 1982.
[19] Klamka J. Heterozłączowe przyrządy półprzewodnikowe na zakres mikrofal i fal milimetrowych. Wyd. Agencja Lotnicza ALTAIRSP. z o.o.
[20] Klamka J.: Technology of Geramium p-n Alloyed Junction for Microwave Variable – Capacitance Diodes. Bull. Acad. Pol. Sci., ser. techn. vol. 8, no 7, pp. 385-390, 1960.
[21] Klamka J.: Technology of Geramanium Microalloyed Variable Capicitance Diodes for Parametric Amplifiers. Colloque International sur les Disppositifs a Semiconducteurs, Paries 1, pp. 564-569, 1961.
[22] Klamka J.: Germanium Varactor Diode With High cut-off Frequency. Bull. Acad. Pol. Sc., ser. techn. vol. 10, no 11, pp. 685-687, 1962.
[23] Klamka J.: Krzemowe waraktory mikrofalowe. Przegl. Elektron., vol. 5, nr 12, ss. 625-631, 1964.
[24] Klamka J.: Waraktory krzemowe i ich właściwości elektryczne. Pomiary Automatyka Kontrola, vol. 12, nr 11, ss. 470-482, 1966.
[25] Klamka J.: Zagadnienia oporności szeregowej waraktorów mikrofalowych. Arch. Elektrot., vol. 16, nr 1, ss. 69-98, 1967.
[26] Klamka J.: Krzemowe epitaksjalne waraktory mocy z dyfuzyjnymi złączami p-n. Przegl. Elektron., vol. 8, nr 11, s. 520-525, 1967.
[27] Klamka J.: Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych w szczególności mikrofalowych. Pat. PRL 51990, 1964.
[28] KlamkaJ.: Sposób wytwarzania przyrządów półprzewodnikowych, zwłaszcza waraktorów mikrofalowych. Pat. PRL 51993, 1965.
[29] Klamka J.: GaAs Diffused-Junction Varactor Diodes. Bull. Acad. Pol. Sci., ser. techn., vol. 15, nr 12, ss. 223-225, 1967.
[30] Klamka J.: Krzemowa dioda lawinowa na pasmo X. Arch. Elektrot., vol. 19, nr 1, ss. 173-174, 1970.
[31] Klamka J.: Zagadnienie zwiększenia mocy diod lawinowych. Mikrofalowa Elektronika Ciała Stałego, PWN, vol. 4, ss. 48-52, 1971.
[32] Klamka J.: Zagadnienie technologii krzemowych diod lawinowych. Nowoczesne Materiały i Przyrządy Półprzewodnikowe. PWN, Warszawa ss. 517-521, 1972.
[33] Klamka J.: Krzemowe diody lawinowe o podwyższonej mocy do generacji w paśmie X. III Krajowa Konferencja MECS Zakopane 1974, Mikrofalowa Elektronika Ciepła Stałego. PWN Warszawa 1975.
[34] Klamka J., Latkowski R.: Diody Gunna o mocy ciągłej w paśmie X. III Krajowa Konferencja MECS Zakopane, 1974. Mikrofalowa Elektronika Ciepła Stałego. PWN, Warszawa 1975.
[35] Klamka J., Niedźwiedź A., Latkowski R.: Diody Gunna dużej mocy na pasmo X. Arch. Elektrotechniki z. 4, ss. 805-808, 1976.
[36] Klamka J., Parafinowicz J., Suchecka М., Korybut-Daszkiewicz B.: Diody Gunna dużej mocy i ich właściwości elektryczne. Prace ITE, z. 11-12, 1990.
[37] Klamka J.: 40 lat mikrofalowej elektroniki półprzewodnikowej w Polsce. Elektronika, z. 8-9, s. 11-21, 2000.
[38] Parafinowicz J., Klamka J., Regiński K., Górska М., Wrzesińska H., Uszyński A.: Gunn diodes for 26-40 GHz. Proc. Intern. Conf. On Microwave and Radar. MIKON’98, vol. 1, p. 89, 1998.
[39] Klamka J.: Mikrofalowe diody PIN. Arch. Elektron., vol. XXI, ss. 923-926, 1972.
[40] Klamka J., Parafinowicz J., Niedźwiedź A.: Mikrofalowe diody PIN i ich parametry elektryczne. Prace ITE, z. 19, 1973.
[41] Klamka J.: Diody PIN dużej mocy. Prace ITE, z. 4, ss. 31-38, 1982.
[42] Jabłoński W., Suchecka М.: Dioda PIN na pasmo X. Prace ITE, z. 11, 1988.
[43] Grabowski М.: Silicon Microwave PIN diode for phase shifters, Prace ITE, z. 6-12, 1996.
[44] Klamka J., Niedźwiedź A., Parafinowicz J.: Układy tłumikowi modulatorów z diodami PIN wytwarzanymi w ITE. III Krajowa Konferencja MECS. Zakopane 1974.
[45] Szczęsny J.: Wieloimpulsowa metoda pomiaru czasu życia nośników w diodach PIN. Prace ITE, z. 10, 1985.
[46] Klamka J.: Mikrofalowe diody Schotky'ego PtSi-Si. Prace ITE, z. 4, ss. 1-11, 1983. Elektronika nr 2, 1984.
[47] Klamka J., Suchecka М.: Zrównoważony mieszacz na pasmo X z arsenkowo-galowymi diodami Schotky’ego.
[48] Ziółkowski М.: Dioda ładunkowa BXDP 83. Prace ITE, z. 4, 1987.
[49] Ziółkowski М.: Dioda ładunkowa BXDP 84 i jej zastosowanie. Prace ITE, z. 10, 1985. Prace ITE, z. 9, s. 1-17, 1984. Elektronika z. 11, ss. 22-26, 1984.
[50] Białkowski W.J., Bienia K., Klamka J., Lewandowski J.: Mikrofalowe tranzystory bipolarne p-n-p. Prace ITE, z. 8, ss. 15-28, 1981. Elektronika nr 10, ss. 22-27, 1981.
[51] Białkowski W.J., Klamka J., Zaleski Т.: Mikrofalowy tranzystor bipolarny na pasmo L o małym poziomie szumów. VI Krajowa Konferencja Mikrofalowa MIKON’93, tom I, Wyd. WAT, ss. 352- 355, 1983.
[52] Klamka J., Zaleski Т., Żebrowski Z.: Bipolarny mikrofalowy tranzystor dla hybrydowych układów pracujących w paśmie 1 GHz. Prace ITE, z. 4, s. 7-13, 1987. Elektronika nr 2, ss. 22-23, 1988.
[53] Klamka J., Kunicki J., Saczuk K., Tkaczyk Z.: Optimization of material parameters and Design of о HEMH. Prace ITE, z. 6-12, pp. 170-177, 1996.
[54] Klamka J.: Pierwsze polskie przyrządy półprzewodnikowe – z perspektywy 50 lat. ELEKTRONIKA-konstrukcje, technologie, zastosowania, z. 6/2006, s. 40-46.
[55] Szczęsny J., Rutkowski R., Grabowski М., Żebrowski Z.: SPDT reflective switch module without internal bias circuitry for the 0,5-2 GHz band. Prace ITE, z. 2-8, 1997.
[56] Jabłoński W., Grabowski М.: Glass technology for phase shifters. Prace ITE, z. 6-12, 1996.
[57] Klamka J., Redlich J.: Nowa Technika wytwarzania niskonapięciowych diod Zenera. Prace ITE, z. 1, 1971. Elektronika z. 5, 1979.
[58] Klamka J., Redlich J.: Sposób wytwarzania całoszklanych epitaksjalnych diod Zenera. Pat. PRL 106265, 1978.
[59] Klamka J., Bienia K., Saczuk K.: Stan i perspektywy rozwoju mikroelektroniki próżniowej. Elektronika z. 7-8, ss. 7-17, 1999.
[60] Profesor Janusz Groszkowski Twórca Polskiej Radioelektroniki. Konferencja 16 listopada 2010 r. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Oficyna Wydawnicza Rem Script sp. z o.o.
[61] Klamka J.: Profesor Groszkowski – jako przełożony i nie tylko., (rozdział w poz. [60]).

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-c3c1ec72-6532-49ea-bf9d-c2f5c1649a19