Kompensacja dryfu w skaningowym mikroskopie tunelowym przeznaczonym do badań nanostruktur grafenowych FoMaMet

• Autorzy: Gajewski K. , Kramek R. , Kopiec D. , Gotszalk T.

Identyfikatory

DOI

10.15199/ELE-2014-162

Warianty tytułu

EN

Drift compensation in scanning tunneling microscopy used for the FoMaMet graphene nanostructures investigations

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono problem dryfu występującego w skaningowym mikroskopie tunelowym (STM). Dryf ten występuje w osiach X, Y oraz Z. Na przykładzie pomiarów wysokozorientowanego grafitu pyrolitycznego omówiono jego wpływ na pracę mikroskopu, oraz możliwe zakłócenia procedury pomiarowej. Zaproponowano modyfikację konstrukcji mikroskopu STM tak, aby negatywny wpływ dryfu w osi Z uległ minimalizacji. W tym celu wykonano i zaprezentowano konstrukcję precyzyjnego układu elektronicznego z precyzyjnym przetwornikiem cyfrowo-analogowym i porównano go z dostępnym rozwiązaniem komercyjnym. Przedstawiono również możliwości rozszerzenia opracowanego systemu.

EN

In this work drift issues appearing in scanning tunneling microscope (STM) was discussed. This drift appears in X, Y and Z axis. Based on measurements of the highly oriented pyrolytic graphite its influence on the work of the microscope and possible disturbances of the measurement procedure was described. Modification of the construction of the STM microscope minimizing the negative impact of the drift in Z axis was proposed. To do that a precise electronic circuit based on precise digital-to-analog converter was developed and it was compared with available commercial solution. At the end possibilities of the expansion of the realized system was shown.

Słowa kluczowe

PL

skaningowy mikroskop tunelowy; dryf; HOPG

EN

scanning tunneling microscope; thermal drift; HOPG; graphene

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2014
• Tom: Vol. 55, nr 10
• Strony: 19--22
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., il., rys., wykr.

Twórcy

autor

Gajewski K.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kramek R.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Kopiec D.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Gotszalk T.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

Bibliografia

• [1] Binnig G., Rohrer H., Gerber Ch., Weibel E., Surface studies by scanning tunneling microscopy, PRL, 1982, 49 (1):57–61.
• [2] Gajewski K., Kopiec D., Rudek M., Zawierucha P., Zielony M., Moczała M., Wielgoszewski G., Gotszalk T., Strupiński W., Skaningowy mikroskop mikroskop tunelowy do badań nanostruktur grafenowych. Elektronika LIV, 06, 2013, 14–9.
• [3] Folley E. T., Yoder N. L., Guisinger N. P., Hersham M. C., Cryogenic variable temperature ultrahigh vacuum scanning tunneling microscope for single molecule studies on silicon surfaces. RSI, 75, 5280 (2004).
• [4] McCann L. I., Smalley R. M., Dubson M. A., RSI, 65, 2519 (1994).
• [5] Kramek R., Sterowane źródło napięciowe o podwyższonej rozdzielczości nastaw, praca dyplomowa inżynierska, Wrocław: Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki Politechniki Wrocławskiej, 2014 r.