Krytyczne parametry konstrukcyjno-technologiczne i ich wpływ na parametry elektryczne tranzystorów mocy MOSFET SiC

• Autorzy: Sochacki M. , Kwietniewski N. , Taube A. , Król K. , Szmidt J.

Warianty tytułu

EN

Critical design and technological parameters and their impact on the electrical characteristics of power SiC MOSFETs

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (12 ; 10-13.06.2013 ; Darłówko Wschodnie ; Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule zaprezentowano analizę wpływu czynników konstrukcyjno- technologicznych (dokładność fotolitografii, głębokość i profil domieszkowania złączy p-n, parametry warstwy przejściowej dielektryk/półprzewodnik, właściwości użytego dielektryka), które są krytyczne z punktu widzenia parametrów elektrycznych tranzystorów MOS mocy (napięcie przebicia, napięcie progowe, maksymalny prąd drenu, prąd upływu przy polaryzacji zaporowej).

EN

This article presents an analysis of the impact of design and technological factors (photolitography accuracy, p-n junction doping depth and profile, dielectric/semiconductor interface parameters, gate dielectric properties) that are crucial in terms of electrical parameters of power MOSFETs like breakdown voltage, threshold voltage, maximum drain current, leakage current at reverse bias).

Słowa kluczowe

PL

MOSFET; DIMOS; ACCUFET; węglik krzemu; SiC

EN

MOSFET; DIMOSFET; ACCUFET; silicon carbide; SiC

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2013
• Tom: Vol. 54, nr 9
• Strony: 40--43
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., wykr.

Twórcy

autor

Sochacki M.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

autor

Kwietniewski N.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

autor

Taube A.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych
• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Król K.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

autor

Szmidt J.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Bibliografia

• [1] Grieb M., S. Noll, D. Scholten, M. Rambach: Influence of Post-Implantation Annealing Temperature on MOSFET Performance and Oxide Reliability. Materials Science Forum, vol. 740-742, 2013, 703-706.
• [2] Baliga B. J.: Silicon Carbide Power Devices. World Scientific 2005.
• [3] Arnold E.: Charge-sheet model for silicon carbide inversion layers. IEEE Transaction on Electron Devices, vol. 46. 1999, 497-503.
• [4] Michaud J. F., X. Song, J. Biscarrat, F. Cayrel, E. Collard, D. Alquier: Aluminum Implantation in 4H-SiC: physical and electrical properties. Materials Science Forum, vol. 740-742, 2013, 581-584.