Department of Analysis of Semiconductor Nanostructures

• Autorzy: Kaniewska M.
• Języki publikacji: EN

Słowa kluczowe

EN

Institute of Electron Technology; scientific activity

PL

Instytut Technologii Elektronowej; działalność naukowo-badawcza

• Wydawca: Instytut Technologii Elektronowej
• Czasopismo: Prace Instytutu Technologii Elektronowej
• Rocznik: 2013
• Tom: z. 1/2
• Strony: 188--201
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz.,wykr.

Twórcy

autor

Kaniewska M.

• Institute of Electron Technology, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warsaw, Poland

Bibliografia

• Publications’2012
• [P1] Guziewicz М., Jung W., Kruszka R., Gołaszewska-Malec K., Piotrowska A., Domagała J., Wachnicki L., Guziewicz E., Godlewski М.: Fabrication and Characterization of n-ZnO/p-SiC Heterojunction Diode. Mater. Sci. Forum 2012 vol. 717-720 p. 1323-1326.
• [P2] Jung W.: Application of the Lambert Function to Determination of the p-n Junction Parameters. Elektronika 2012 vol. LIII no. 9 p. 25-27 (in Polish).
• [P3] Jung W.: Application of the Lambert Function to Determination of the p-n Junction Parameters. Proc. of the XI Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 11-14.06.2012, p. 571-576 (in Polish).
• [P4] Kaniewska М., Engström О., Karmous A., Оehme М., Petersson G., Kasper E.: Charge Carrier Traffic at Self-Assembled Ge Quantum Dots on Si. Solid-State Electron, (submit. to print).
• [P5] Zaremba G., Adamus Z., Jung W., Kamińska E., Borysiewicz М., Korwin-Mikke K.: The Role of Deep Level Traps in Barrier Height of 4H-SiC Schottky Diode. Mater. Sci. a. Eng. В 2012 vol. 177 p. 1323-1326.
• Conferences’2012
• [C1] Gołaszewska-Malec K., Taube A., Kruszka R., Borysiewicz М., Ekielski М., Juchniewicz М., Sidor Z., Nówek A., Myśliwiec М., Jung W., Jakieła R., Prystawko P., Leszczyński М., Kamińska E., Piotrowska A.: Nanoscale Surface Characterisation of AlGaN/GaN HEMTs with Recessed Ohmic and Schottky Contact Geometrie. 41st Jaszowiec Int. School a. Conf. on the Physics of Semiconductor. Krynica Zdrój, Poland, 8-15.06.2012 (poster).
• [C2] Jung W.: Application of the Lambert Function to Determination of the p-n Junction Parameters. XI Polish Conf. on Electronics. Darłówko Wschodnie, Poland, 11-14.06.2012 (poster).
• [C3] Kaniewska М., Engström О., Karmous A., Petersson G., Kasper E.: Charge Carrier Traffic at Self-Assembled Ge Quantum Dots on Si. 2012 Int. Silicon-Germanium Technology and Device Meet. ISTDM. Berkeley, USA, 4-6.06.2012 (paper.).
• Patents’2012
• [PA1] Jung W.: A Method to Determine Basic Parameters of a p-n Junction. Pat. Appl. no. P.397687 (in polish).