Analiza temperaturowych charakterystyk I-V testowych ogniw słonecznych na bazie związków złożonych (In,Ga)(As,N)

• Autorzy: Dawidowski W. , Ściana B. , Mikolášek M. , Kováč J. , Tłaczała M.

Identyfikatory

DOI

10.15199/13.2016.7.1

Warianty tytułu

EN

Analysis of temperature dependent current-voltage characteristics of the test (In,Ga)(As,N) solar cells

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Analiza temperaturowych charakterystyk prądowo-napięciowych ogniw słonecznych pozwala na określenie zmian w wartościach podstawowych parametrów ogniwa: gęstości prądów nasycenia j₀ i zwarciowego j_sc, napięcia rozwarcia V_oc, współczynnika wypełnienia FF oraz sprawności konwersji η. Ponadto prezentowane wyniki umożliwiają porównanie charakterystyk ogniwa pracującego przy oświetleniu widmem AM 1.5 oraz 20-krotnie skoncentrowanym promieniowaniem słonecznym.

EN

The analysis of current-voltage-temperature (I-V-T) characteristics of solar cells enables to observe the changes in the saturation j₀ and short circuit j_sc current densities, open circuit voltage V_oc, fill factor FF and conversion efficiency η versus the temperature. Moreover the presented results compare I-V-T characteristics measured under AM 1.5 and concentrated 20×AM 1.5 spectrum.

Słowa kluczowe

PL

InGaAsN; ogniwo słoneczne; pomiary I-V-T

EN

InGaAsN; solar cell; I-V-T measurements

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2016
• Tom: Vol. 57, nr 7
• Strony: 3--5
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., wykr.

Twórcy

autor

Dawidowski W.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Ściana B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

autor

Mikolášek M.

• Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Institute of Electronics and Photonics, Bratislava, Slovakia

autor

Kováč J.

• Slovak University of Technology, Faculty of Electrical Engineering and Information Technology, Institute of Electronics and Photonics, Bratislava, Slovakia

autor

Tłaczała M.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wrocław

Bibliografia

• [1] Luque A., Hegedus S., 2011. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering, Second Edition, Wiley.
• [2] Algora C., Rey-Stolle I., 2016. Handbook on Concentrator Photovoltaic Technology, Wiley.
• [3] Dawidowski W. i in.: 2016. The influence of top electrode of In-GaAsN/GaAs solar cell on their electrical parameters extracted from illuminated I-V characteristics, Solid-State Electronics 120, 13-18.

Uwagi

PL

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.