Badania parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem nieniszczącej techniki MFCA opartej na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych

• Autorzy: Chrobak Ł. B. , Maliński M. A.
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono rozważania teoretyczne i wyniki eksperymentalne badań parametrów rekombinacyjnych materiałów krzemowych z wykorzystaniem techniki MFCA. Wykorzystana technika badawcza bazuje na zjawisku modulacji absorpcji na nośnikach swobodnych.

EN

This paper presents theoretical and experimental results of investigations of the recombination parameters of the silicon materials with the MFCA method. The applied technique is based on the phenomena of the modulated free carriers absorption.

Słowa kluczowe

PL

materiał krzemowy; technika MFCA; zjawisko modulacji absorpcji

EN

silicon materials; MFCA method; modulated free carries absorption

• Wydawca: Wydawnictwo Uczelniane Politechniki Koszalińskiej
• Czasopismo: Zeszyty Naukowe Wydziału Elektroniki i Informatyki Politechniki Koszalińskiej
• Rocznik: 2011
• Tom: Nr 3
• Strony: 39--48
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys.

Twórcy

autor

Chrobak Ł. B.

• Katedra Podstaw Elektroniki, Wydział Elektroniki i Informatyki, Politechnika Koszalińska, ul. Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

autor

Maliński M. A.

• Katedra Podstaw Elektroniki, Wydział Elektroniki i Informatyki, Politechnika Koszalińska, ul. Śniadeckich 2, 75-453 Koszalin

Bibliografia

• [1] Warta W., Defect and impurity diagnostics and process monitoring, „Solar Energy and Solar Cells” 2002, No 72, s. 389-401.
• [2] Berman G. M., Call N. J., Johnson S. W., Ahrenkiel R. K., Rotolante R.A., A comparison of transient and imaging techniques for measuring, „18thWorkshop on Crystalline Silicon Solar Cells and Modules: Materials and Processes” 2008, s. 151-154.
• [3] Johnston S.W., Call N. J., Phan B., Ahrenkiel R. K, Applications of imaging techniques for solar cell characterization, „34th IEEE Photovoltaic Specialists Conference” 2009, s. 276-281.
• [4] Schroeder D., Some Recent Advances in Contactless Silicon Characterization, “ECS Transactions” 2006, No 3 (4), s. 321-337.
• [5] Dietzel D., Gibkes J., Chotikaprakhan S., Bein B. K., Pelz J., Radiometric Analysis of Laser Modulated IR Properties of Semiconductors, „International Journal of Thermophysics” 2003, No 24 (3), s. 741-755.
• [6] Li B., Li X., Li W., Huang Q., Zhang X., Accurate determination of electronic transport properties of semiconductor wafers with spatialy resolved photo-carrier techniques, „Journal of Physics: Conference Series” 2010, No 214, s. 012013.
• [7] Zhang X., Li B., Gao C., Analysis of free carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers, “European Physics Journal Special Topics” 2008, No 153, s. 279-281.
• [8] Huang Q., Li B., Liu X., Influence of probe beam size on signal analysis of modulated free carrier absorption technique, “Journal of Physics: Conference Series” 2010, No 214, s. 012084.
• [9] Li W., Li B., Analysis of modulated free-carrier absorption measurement of electronic transport properties of silicon wafers, “Journal of Physics: Conference Series” 2010, No 214, s. 012116.
• [10] Mandelis A., Balista J., Shaughnessy D., Infrared photocarrier radiometry of semiconductors: Physical principles, quantitative depth profilometry, and scanning imaging of deep subsurface electronics defects, “Physical Review” 2003, No B 67, s. 205208.
• [11] Schmidt J., Measurement of differential and actual recombination parameters on crystalline silicon wafers, “IEEE Transactions on Electron Devices” 1999, No 46 (10), s. 2018-2025.
• [12] Creazzo T., Redding B., Marchena E., Shi S., Prater D. W., Free-carrier absorption modulation in silicon nanocrystal slot waveguides, “Optics Letters” 2010, No 35 (21), s. 3691-3693.
• [13] Huang Q., Li B., Self-eliminating instrumental frequency response from free carrier absorption signals for silicon wafer characterization, “Rev. Sci. Instrum.” 2011, No 82, s. 043104.
• [14] Huang Q., Li B., Electronic transport characterization of silicon wafers by combination of modulated free carrier absorption and photocarrier radiometry, “J. Appl. Phys.” 2011, No 109, s. 023708.
• [15] Malinski M., Chrobak Ł., Patryn A., Theoretical and Experimental Studies of a Plasma Wave Contribution to the Photoacoustic Signal for Si Samples, “Acta Acustica united with Acustica” 2009, No 95, s. 60-64.