Wpływ światła na rezystancję powierzchniową heterostruktury AlGaN/GaN

• Autorzy: Pokryszka P. , Paszkiewicz B.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2018.09.07

Warianty tytułu

EN

Light influence on the sheet resistance of AlGaN/GaN heterostructure

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Rezystancja powierzchniowa jest jednym z najczęściej wykorzystywanych parametrów elektrycznych wytworzonych cienkich warstw. Szczególną cechą rezystancji powierzchniowej jest jej skalowalność, którą często wykorzystuje się w ocenie jakościowej przyrządów półprzewodnikowych zaprojektowanych w różnej skali. W pracy przedstawiono wpływ pobudzenia UV na GaN. Na podstawie zaprezentowanej metody zbadano wpływ światła na rezystancję powierzchniową oraz uzyskano charakterystykę widmową heterostruktury AlGaN/GaN. Pomiary wykonano z wykorzystaniem struktury testowej typu Hall bar. Wzrost heterostruktury AlGaN/GaN uzyskano metodą MOCVD. Pomiary przeprowadzono w temperaturze pokojowej natomiast czynnikiem pobudzającym było światło z zakresu 280-640 nm. W pracy zbadano i omówiono zmianę rezystancji powierzchniowej w funkcji długości fali światła pobudzającego, analizowano również obecność głębokich poziomów w heterostruktorze AlGaN/GaN.

EN

Sheet resistance is most commonly used electrical parameters of thin films produced. A special feature of sheet resistance is its scalability, which is often used in the qualitative assessment of semiconductor devices designed at different scales. The paper presents the effect of UV excitation on GaN. Based of presented method, influence of light on sheet resistance was investigated and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Based on presented method, influence of light on sheet resistance was examined and spectral characteristic of AlGaN/GaN heterostructure were obtained. Measurements were made using the Hall bar test structure. Grown by obtained MOCVD methods. The Hall bar test structures were fabricated and investigated at room temperature and light in 280-640 nm range. The work examines and discusses the change of sheet resistance as a function light was also analyzed in the presence of deep level AlGaN/GaN heterostructure.

Słowa kluczowe

PL

rezystancja powierzchniowa; głebokie poziomy energetyczne; MOCVD; heterostruktura AlGaN/GaN

EN

sheet resistance; deep energy levels; MOCVD; AlGaN/GaN heterostructure

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2018
• Tom: R. 94, nr 9
• Strony: 29--31
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., rys.

Twórcy

autor

Pokryszka P.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii, ul. Janiszewskiego 11/17, 50- 372 Wrocław

autor

Paszkiewicz B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki, Wydziałowy Zakład Mikroelektroniki i Nanotechnologii, ul. Janiszewskiego 11/17, 50-372 Wrocław

Bibliografia

• [1] Mishra U.K., Parikh P., Wu Yi-Feng, AlGaN/GaN HEMTs-an overview of device operation and applications, Proceedings of the IEEE, 90 (2002), 1022-1031
• [2] Palacios T., Chakraborty A., Rajan S., High-power AlGaN/GaN HEMTs for Ka-band applications, IEEE Electron Device Letters, 26 (2005), ~781-783
• [3] Pokryszka P., Paszkiewicz B., MEASUREMENT OF AlGaN/GaN HEMT, Photonics and Microsystems, 26 (2016),~70-74
• [4] Yun-Chorng Chang, Effects of illumination on the excess carrier dynamics and variations of the surface states in an AlGaN/GaN heterostructure, Journal of Applied Physics, 88 (2010)
• [5] Yun-Chorng Chang, Yun-Li Li, Tzung-Han Lin, Jinn-Kong Sheu, Structure with Sub-Bandgap Laser Light and Above-Bandgap Illuminations, Japanese Journal of Applied Physics, 46 (2007), 3382–3384

Uwagi

Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2018).