Opis procesu wyłączania tranzystora MOSFET w przekształtnikach wysokiej częstotliwości

• Autorzy: Grzejszczyk P.

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2016.05.32

Warianty tytułu

EN

Study of high voltage MOSFET turn off process in high frequency converters

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy został przedstawiony zwarty opis analityczny procesu wyłączania tranzystora MOSFET, odnoszący się do rozwiązań stosowanych w układach wysokoczęstotliwościowych. W opisie wykorzystano wyniki analizy symulacyjnej, opartej na bardzo precyzyjnym modelu tranzystora CoolMOS firmy Infineon (IPW60R070C6). Przedstawiono wyniki pomiarów eksperymentalnych mocy traconej przy wyłączaniu tranzystora w falowniku mostkowym pracującym z częstotliwością 100kHz, które potwierdzają poprawność rozważań teoretycznych.

EN

This paper contain a detailed study of high voltage Power MOSFET turn off process which occur in high frequencies applications. Presented description is based on simulation with very precious simulation model of Infineon’s CoolMOS transistor (IPW60R070C6). Experimental results of MOSFET turn off power losses measurement in H-bridge inverter works with 100kHz were also presented. This results confirmed correctness of analytical description presented by the author.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOSFET; pojemność pasożytnicza

EN

power MOSFET; parasitic capacitance

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2016
• Tom: R. 92, nr 5
• Strony: 171--174
• Opis fizyczny: Bibliogr.8 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Grzejszczyk P.

• Politechnika Warszawska, Instytut Sterowania i Elektroniki Przemysłowej, ul. Koszykowa 75, 00-662 Warszawa

Bibliografia

• [1] Rąbkowski J., Peftitsis D., Nee H.-P., Parallel-Operation of Discrete SiC BJTs in a 6-kW/250-kHz DC/DC Boost Converter, IEEE Trans. on Power Electron., 29 (2014), n.5, 2482-2491
• [2] Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R., Analiza procesów łączeniowych tranzystorów MOSFET, Elektronika: konstrukcje , materiały, technologie, 12 (2012) nr.12, 23-27
• [3] Baliga B. J., Fundamentals of Power Semiconductor Devices. New York, USA: Springer, 2008
• [4] Infineon, Karta katalogowa tranzystora IPW60R070C6, (2014) [Online]. www.infineon.com
• [5] Grzejszczak P., Nowak M., Barlik R., Analityczny opis nieliniowej pojemności wysokonapięciowych łączników energoelektronicznych przy wyznaczaniu strat energii, Przegląd Elektrotechniczny, 90 (2014), nr.11, 74-77
• [6] Chen Z., Boroyevich D., Burgos R., Experimental Parametric Study of the Parasitic Inductance Influence on MOSFET Switching Characteristics, Proc. of the International Power Electronics Conference, Singapur, 27-29.10.2010, 164-169
• [7] Grzejszczak P., Metodyka wyznaczania strat energii w łącznikach półprzewodnikowych przekształtnika o cechach podwójnego mostka aktywnego z uwzględnieniem zjawisk termicznych, Rozprawa doktorska, Politech. Warszawska, 2014
• [8] Xiao C., Chen G., Odendaal W. G. H., Overview of power loss measurement techniques in power electronics systems, IEEE Trans. Ind. Appl, 43 (2007), n.3, 657-664

Uwagi

Opracowanie ze środków MNiSW w ramach umowy 812/P-DUN/2016 na działalność upowszechniającą naukę.