Tytuł artykułu
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Zastosowanie GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym
Języki publikacji
Abstrakty
This paper presents a study of the GaN HEMT as a bidirectional switch. The considerations were conducted for the purpose of application of bidirectional switch in a matrix converter. Semi-soft 4-step commutation method was analysed and laboratory tested on the 2-phase to 1-phase converter to verify all the possible commutation processes which occur in a matrix converter. The problem of wrong sign of current detection and output current interruption has also been raised.
Artykuł przedstawia badania GaN HEMT jako łącznika dwukierunkowego. Rozważania były prowadzone w celu zastosowania łącznika dwukierunkowego w przekształtniku matrycowym. Metoda 4-krokowej półmiękkiej komutacji została przeanalizowana i przebadana laboratoryjnie na przekształtniku 2-fazowym na 1-fazowy, który odwzorowuje wszystkie procesy komutacyjne w przekształtniku matrycowym. Został również poruszony problem błędnej detekcji znaku prądu wyjściowego oraz jego przerwania.
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
160--163
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz., rys., tab.
Twórcy
- Bialystok University of Technology, Department of Power Electronics and Electric Drives, Wiejska 45 D Street, 15-351 Białystok
autor
- Bialystok University of Technology, Department of Power Electronics and Electric Drives, Wiejska 45 D Street, 15-351 Białystok
Bibliografia
- [1] Szcześniak P., Three-Phase AC–AC Power Converters Based on Matrix Converter Topology: Matrix-Reactance Frequency Converters Concept, Springer, 2013, nr 5, 125-128
- [2] Hirota T., Inomata K., Yoshimi D. and Higuchi M., Nine Switches Matrix Converter Using Bi-directional GaN Device, International Power Electronics Conference (2018), 3952-3957
- [3] Umeda H., Yamada Y., Asanuma K., Kusama F., Kinoshita Y., Ueno H., Ishida H., Hatsuda T. and Ueda T., High power 3-phase to 3-phase matrix converter using dual-gate GaN bidirectional switches, IEEE Applied Power Electronics Conference and Exposition (March 2018), 894-897
- [4] Burany, N., Safe control of four-quadrant switches, Conference Record of the IEEE Industry Applications Society Annual Meeting (1989), 1190-1194
- [5] Tammaruckwattana S., Yue C., Ikeda Y., and Ohyama K., Comparison of switching losses of matrix converters for commutation methods, IEEE European Conference on Power Electronics and Applications, 16th (2014), 133-137
- [6] Zdanowski M., Rąbkowski J., Operation modes of the GaN HEMT in high-frequency half-bridge converter, Progress in Applied Electrical Engineering, PAEE., (2016), 468 – 474
- [7] Datasheet of GS66506T from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018
- [8] “GS665xxT-EVBDB2-UserGuide-rev-2018.09.05” from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018
- [9] GN001 Application Guide Design with GaN Enhancement Mode HEMT from GaN Systems webpage www.gansystems.com, 2018
Uwagi
Opracowanie rekordu w ramach umowy 509/P-DUN/2018 ze środków MNiSW przeznaczonych na działalność upowszechniającą naukę (2019).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-b6c409a7-f131-4842-9645-f04c9b7b9c69