Perspektywy wytwarzania zintegrowanych modułów N/O z wykorzystaniem krajowej technologii GaN HEMT

• Autorzy: Wojtasiak W. , Gwarek W.

Warianty tytułu

EN

Prospects for production of integrated T/R modules using local GaN HEMT technology

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Polski przemysł radiolokacyjny stoi przed wyzwaniem dotyczącym zasadniczej zmiany technologii. Dla utrzymania konkurencyjności nie tylko na rynku międzynarodowym, ale również krajowym, konieczny jest skok technologiczny co najmniej o dwie generacje. Istnieje potrzeba wdrożenia technologii dla wykonania zasadniczych elementów w formie monolitycznych układów scalonych. Przedstawiono kierunki światowe w produkcji modutów nadawczo-odbiorczych do zastosowań radiolokacyjnych, postępy prac nad krajową technologią GaN HEMT na monokrystalicznym podłożu GaN oraz perspektywy własnej produkcji modułów N/O o możliwie maksymalnej skali integracji.

EN

Polish radar industry is facing a challenge of decisive change of technology. For maintaining its competitiveness not only at the international market but also at the national market it needs a disruptive change of technology by two generations. It will not be sufficient just to switch to semiconductor radars based on lumped active elements. The key elements must be manufactured in monolithic technologies. That kind of approach is nów morę realistic on the base of currently widely conducted research on GaN HEMT technologies on various substrates: sapphire, SiC and monolithic GaN. In the paper the intemational trends in the technology of T/R modules for radar application have been discussed. Some new research achievements in the area of GaN HEMT technology on monolithic GaN substrates have been presented. The possibilities of local production of T/R modules with highly advanced level of integration have been outlined.

Słowa kluczowe

PL

moduł N/O; tranzystor mikrofalowy; GaN HEMT

EN

T/R module; microwave transistors; GaN HEMT

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Telekomunikacyjny + Wiadomości Telekomunikacyjne
• Rocznik: 2015
• Tom: nr 6
• Strony: 639--643
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Wojtasiak W.

• Instytut Radioelektroniki, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

autor

Gwarek W.

• Instytut Radioelektroniki, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych Politechniki Warszawskiej

Bibliografia

• [1] Gryglewski U, Morawski T,Wojtasiak W.,Sędek E.:T/R Module for APAR.. Elektronika 2009, nr 4
• [2] www.cobhan.comm/sensorsystems/MAEA-009445. [Online] 2011
• [3] www.rf2m.apitech.com/MAIA-009446-000000. [Online]
• [4] Asia M/A-COM Tech i Taiwan ROC. 8.5 to 11 GHz Highly Integrated Core Chip Provides High Degree of Functionality. January 12, 2011
• [5] www.thalesaleniaspace.com/ X Band T/R Modules. [Online] 2012
• [6] Zhu Jun Zhou Zhipeng, Henian Shi i Oing Guo: X-Band T/R Module based on GaN MMICs Power. Synthetic Aperture Radar (APSAR), 2011, 3rd International Asia-Pacific Conference
• [7] Rieger R., Fleckenstein A i Oppermann M.: T/R-Module Technologies Today and Possible Evolutions. Radar Conference - Surveillance for a Safer World, 2009. RADAR. International. 12-16 Oct. 2009
• [8] Kalyoncu l., Kaynak M. i Gurbuz Y: Building Blocks for an X-Band SiGe BiCMOS T/R Module. Radio and Wireless Symposium (RWS), 2013 IEEE
• [9] http://www.rfoore.com/. [Online]
• [10] http://micro.apitech.com, C-Band OTRM Product Capability. [Online]
• [11] http://users.ece.gatech.edu/cressler/. [Online]
• [12] Semiconductors United Monolithic. MMIC CHC3014-99F
• [13] Kopp B. A., Borkowski M., Jerinic G.: Transmit/Receive Modules. IEEE Trans, on MTT, Vol. 50, No. 3. March 2002 [14]Wojtasiak W., Gryglewski D.:A100W SiC MESFET Amplifier for L-Band T/R Module ofAPAR. International Journal of Electronics and Telecommunications. 2011, Tom 57, no.1
• [15] Wbod S., Ratis C., Farrell D., Milion B., Pribbie B., Smith R, Pengelly R.,. Milligan J.: Advances in high power GaN HEMT transistors. Microwave Engineering Europe. May, 2009
• [16] Byung-Wook Min Chang M., Rebeiz G.M.: SiGe T/R Modules for Ka-Band Phased Arrays. 2007. IEEE CSIC Symposium. 14-17 Oct. 2007
• [17]Taube A., KamińskaE., Kozubal M., Kaczmarski J., Barcz A, Wojtasiak W, Dyczewski J., Dynowska E. M., Borysiewicz A., Ekielski M., Juchniewicz M., Grochowski J., Prystawko R, Zając M., Kucharski R., and Piotrowska A.: Ion Implantation for isolation ofAIGaN/GaNHEMTs Using C or AI. Journal Physica Status Solidi A: Applications and Materials Science. the manuscript number for submission is pssa.201431724, 2014