Zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod laserowych na pasmo 808 nm i 880 nm w czasie długotrwałej pracy

• Autorzy: Dąbrowska E. , Teodorczyk M. , Krzyżak K. , Romaniec M. , Sobczak G. , Maląg A.

Warianty tytułu

EN

Changing optical and electrical parameters of laser diodes (LDs) emitting at 808 nm and 880 nm during continuous operation

• Języki publikacji: PL EN

Abstrakty

PL

Zaprezentowane zostały zmiany parametrów optycznych i elektrycznych diod podczas długotrwałej pracy: zmniejszenie mocy wyjściowej, zwiększenie prądu progowego jak i zmiana długości fali emisji - dla diod na pasmo 880 nm w kierunku fal krótszych oraz dla diod na pasmo 808 nm w kierunku fal dłuższych.

EN

The following changes in optical and electrical parameters for diodes during long-term operation are presented: reduction in the output power, increase in the threshold current and change in the emission wavelength for diodes emitting at 880 nm towards shorter wavelengths and for diodes emitting at 808 nm towards longer wavelengths.

Słowa kluczowe

PL

dioda laserowa; test starzeniowy; degradacja diod; elektroluminescencja

EN

laser diode; degradation of laser diode; life test; electroluminescence

• Wydawca: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
• Czasopismo: Materiały Elektroniczne
• Rocznik: 2014
• Tom: T. 42, nr 3
• Strony: 5--10
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., rys.

Twórcy

autor

Dąbrowska E.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Teodorczyk M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Krzyżak K.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Romaniec M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Sobczak G.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

autor

Maląg A.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych ul. Wólczyńska 133, 01 - 919 Warszawa

Bibliografia

• [1] Tomm J. W., Gerhardt A., Müller R., Malyarchuk V., Sainte-Marie Y., Galtier P., Nagle J., Landesman J. P.: Spatially resolved spectroscopic strain measurements on high-power laser diode bars, Journal of Applied Physics, 2003, 93, 3
• [2] Fritz M. A., Cassidy D. T.: Cooling rate in diode laser bonding”, IEEE Transactions on Components and Packaging Technologies, 2004, 27, 1
• [3] Zimmer J., Palen E. : Diamont heat spreaders maximize emitter power and lifetime, Laser Focus World 2006, 42 5, S11 - S14
• [4] Martin E., Landesman J. P., Hirtz J. P., Fily A.: Microphotoluminescence mapping of packaging-induced stress distribution on high-power AlGaAs laser diodes, Applied Physics Letters, 1999 ,75, 17
• [5] Häusler K., Zeimer U., Sumpf B., Erbert G., Tränkle G.: Degradation model analysis of laser diodes, J. Mater. Sci: Mater. Electron, 2008, 19, S160 - 164
• [6] Dąbrowska E., Maląg A.: Comparison of measurement methods of laser diode’s thermal resistance, Electrical Rev. (Przegląd Elektrotechniczny), 2011, 4, 232 – 238
• [7] Pliska A. C., Mottin J., Matuschek N., Bosshard Ch.: Bonding semiconductor laser chip: substrate materials figure of merit and die attach layer influence” Belgirate, Italy, 28 - 30 September 2005
• [8] Chu S. N. G., Chand N., Joyce W. B.: Generic degradation mechanism for 980 nm InxGa1-x As/GaAs strained quantum-well lasers, Applied Physics Letters, 2001, 78, 21
• [9] Xia R., Larkins E. C., Harrison I., Andrianov S. R. A., Morgan J., Landesman J. P.: Mounting-induced strain threshold for the degradation of high-power AlGaAs laser bars, IEEE Photonics Technology Letters, 2002, 14, 7
• [10] Juan Jimenez C. R.: Laser diode reliability: crystal defects and degradation modes, Physique, 2003, 4, 663 - 673