Zasilacz sterowany cyfrowo z przetwornicą reverse buck

• Autorzy: Ptak Przemysław , Górecki Krzysztof , Klewer Dawid

Identyfikatory

DOI

10.15199/48.2023.09.59

Warianty tytułu

EN

Digitally controlled power supply with reverse buck converter

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki pomiarów ilustrujących wpływ doboru tranzystora mocy wykonanego w technologii krzemowej (Si) oraz azotku galu (GaN) na właściwości zasilacza sterowanego cyfrowo z przetwornicą DC-DC typu reverse buck. Przedstawiono i krótko opisano najważniejsze bloki funkcjonalne skonstruowanego układu. Przedyskutowano wybrane zależności wielkości charakteryzujących badany zasilacz od prądu obciążenia.

EN

This paper presents the results of measurements illustrating the effect of selecting a power transistor made in silicon (Si) and gallium nitride (GaN) technology on the properties of a digitally controlled power supply with a reverse buck DC-DC converter. The main functional blocks of the developed system are presented and briefly described. Selected dependencies of quantities characterizing the studied power supply on load current are described.

Słowa kluczowe

PL

przetwornica DC-DC; topologia reverse buck; Si; GaN; MOSFET; JFET

EN

DC-DC converter; reverse buck topology; Si; GaN; MOSFET; JFET

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2023
• Tom: R. 99, nr 9
• Strony: 285--288
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., tab.

Twórcy

autor

Ptak Przemysław

• Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

• https://orcid.org/0000%E2%80%900002%E2%80%909857%E2%80%908235

autor

Górecki Krzysztof

• Uniwersytet Morski w Gdyni, Katedra Elektroniki Morskiej, ul. Morska 81-87, 81-225 Gdynia

• https://orcid.org/0000%E2%80%900002%E2%80%904701%E2%80%902995

autor

Klewer Dawid

• Uniwersytet Morski w Gdyni, Wydział Elektryczny

Bibliografia

• [1] Rashid M. H.: Power Electronics Handbook, 3rd edition, Elsevier, 2011 .
• [2] Górecki K., Zarębski J.: The method of a fast electrothermal transient analysis of single-inductance DC-DC converters, IEEE Transactions on Power Electronics, Vol. 27, No 9, 2012, pp. 4005-4012, doi: 10.1109/TPEL.2012.2188546.
• [3] Winder, S.: Power Supplies for LED Driving, 2nd ed.; Elsevier BV: Aalborg, Denmark, 2017.
• [4] Pollock A., Pollock H., Pollock C.: High efficiency LED power supply, IEEE Jour. of Emerg. and Selec. Top. in Pow. Elec., 3 (2015), n.3, 617-623.
• [5] Meneghini M., Meneghesso G., Zanoni E.: Power GaN Devices. Materials, Applications and Reliability, Springer, 2017.
• [6] Zarębski J., Górecki K., Posobkiewicz K.: Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck. Przegląd Elektrotechniczny, R. 86, Nr 11a, 2010, s. 229-231.
• [7] Wang B., Dong S., Jiang S., He C., Hu J., Ye H., Ding X.: A comparative study on the switching performance of GaN and Si power devices for bipolar complementary modulated converter legs. Energies, Vol. 12, 1146, 2019, doi: 10.3390/en12061146.
• [8] Nota katalogowa diody Schottky’ego ES3J: https://octopart.com/diode-general+instrument-6942612 ?gclid =Cj0KCQjwmtGjBhDhARIsAEqfDEe-vcaNoXJxPtykl-Dc2t6qTT Uegn LX16tk0auW4gTr2o0zpo0m0wY aAr mBE AL w_wcB”, (dostępna online 29.05.2023 r.)
• [9] Nota katalogowa dławika COIL1016-0.56: https://www.tme.eu/Document/aa6da82728e94d34587df85ab 24b3b55/COIL1016-0.56.pdf (dostęp online 2.06.2023 r.)
• [10] Nota katalogowa tranzystora typu JFET IGT60R190D1S: https://www.digikey.fr/htmldatasheets/production/3446988/0/0 /1/igt60r190d1s.html, (dostęp online 29.05.2023 r.).
• [11] Lisowski J.: Podstawy Automatyki, wydanie pierwsze, Wydawnictwo Akademii Morskiej w Gdyni, 2015.
• [12] Nota katalogowa tranzystora typu MOSFET WML26N60C2: „https://www.tme.eu/en/details/wml26n60c2-cyg/tht-n-channel-transistors/wayon/wml26n60c2/”, (dostęp online 29.05.2023 r.).
• [13] Nota katalogowa modułu Arduino Nano v3: https://www.microchip.com/en-us/tools resources /configure/ mplab-harmony, (dostęp online 29.05.2023 r.).