Określanie schematów pasmowych struktur MOS na podłożu SiC(4H)

• Autorzy: Piskorski K. , Przewłocki H. M. , Bakowski M.

Warianty tytułu

EN

Band diagrams of the MOS structures made on SiC(4H) substrate

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W celu określenia schematów pasmowych struktur MOS wykonanych na podłożu z węglika krzemu SiC(4H) wykorzystano szereg technik charakteryzacji: elektrycznych, optycznych oraz fotoelektrycznych. Szczególnie przydatne są pomiary fotoelektryczne, które pozwalają na wyznaczenie wysokości barier potencjału na powierzchniach granicznych dielektryka, jak również pozwalają na określenie położenia energetycznego stanów powierzchniowych na granicy SiO2/SiC. Praca przedstawia wyniki pomiarów wykonanych na kondensatorach MOS z aluminiową bramką Al oraz z warstwą dielektryka wykonaną w dwóch różnych technologiach (chemiczne osadzanie i termiczne utlenianie).

EN

In order to determine band diagrams of the MOS structures made on SiC(4H) substrate several measurement techniques were used: electrical, optical and photoelectric methods. Particularly photoelectric methods are useful since they allow determination of barrier heights at the both dielectric interfaces. In this work measurement results performed on MOS capacitors with aluminum metal gate and with different dielectric layers (chemical deposition and thermal oxidation) are presented.

Słowa kluczowe

PL

struktura MOS; schemat pasmowy; stan powierzchni

EN

MOS structure; band diagram; interface states

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Przegląd Elektrotechniczny
• Rocznik: 2014
• Tom: R. 90, nr 9
• Strony: 86--90
• Opis fizyczny: Bibliogr. 15 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Piskorski K.

• ITE, Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Przewłocki H. M.

• ITE, Instytut Technologii Elektronowej, Zakład Charakteryzacji Struktur Nanoelektronicznych, Al. Lotników 32/46, 02-668 Warszawa

autor

Bakowski M.

• ACREO Szwecja

Bibliografia

• [1] Ruff M., Mitlehner M., Helbig R., SiC devices: Physics and numerical simulation, IEEE Trans. Electron Devices, 41 (1994), n.6, 1040-1054
• [2] Morkoc H., Strite S., Gao G.B., Lin M.E., Sverdlov B., Burns M., Large-band gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe - bases semiconductor device technologies, J. Appl. Phys., 76 (1994), n.3, 1363-1398
• [3] Friedrichs P., Burte E.P., Schorner R., Dielectric strength of thermal oxides on 6H-SiC and 4H-SiC, Appl. Phys. Lett., 65 (1994), n.13, 1665-1667
• [4] Alok D., McLarty P.K., Baliga B.J., Interface properties of MOS structures on n-type 6H-SiC, Appl. Phys. Lett., 64 (1994), n.21, 2845-2846
• [5] Schorner R., Friedrichs P., Peters D., Stephani D., Significantly improved performance of MOSFET’s on silicon carbide using the 15-R SiC polytype, IEEE Electron Device Lett., 20 (1999), n.5, 241-244
• [6] Nicollian E.H., Brews J.R., MOS Physics and Technology, J.Wiley and Sons, New York, 1982
• [7] Piskorski K., Przewłocki H.M., Metody określania napięcia wyprostowanych pasm w półprzewodniku w strukturze MOS, Elektronika, 10 (2010), 18-22
• [8] Powell R.J., Photoinjection into SiO2: Use of optical interference to determine electron and hole contributions, J. Appl. Phys., 40 (1969), n.13, 5093-5101
• [9] Afanas’ev V.V., Internal Photoemission Spectroscopy. Principles and Applications, Elsevier, 2008
• [10] Przewłocki H.M., Internal photoemission characteristics of metal-insulator-semiconductor at low electric fields in the insulator, J. Appl. Phys., 85 (1999), n.9, 6610-6618
• [11] Przewłocki H.M., Theory and applications of internal photoemission in the MOS system at low electric fields, Solid- State Electron., 45 (2001), 1241-1250
• [12] Krawczyk S., Przewłocki H.M., Jakubowski A., New ways to measure the work function difference in MOS structures, Revue Phys. Appl., 17 (1982), 473-480
• [13] Fowler R.H., The analysis of photoelectric sensitivity curves for clean metals at various temperatures, Phys. Rev., 38 (1931), 45-56
• [14] Afanas’ev V.V., Bassler M., Pensl G., Schulz M.J., Band offsets and electronic structure of SiC-SiO2 interfaces, J. Appl. Phys., 79 (1996), n.6, 3108-3114
• [15] Afanas’ev V.V., Intrinsic SiC/SiO2 interface states, Phys. Stat. Sol.(a), 162 (1997), 321-337